壓敏電阻MOV，主要應(yīng)用于低壓電器浪涌保護(hù)，多為氧化鋅壓敏電阻。 它是以氧化鋅為主體，摻雜多種金屬氧化物，采用典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元器件。壓敏電阻具有對(duì)稱的伏安特性曲線，流過MOV的電流隨MOV兩端電壓的增大呈指數(shù)規(guī)律增大。在實(shí)際應(yīng)用過程中時(shí)，MOV一般并聯(lián)在電路中，當(dāng)電路正常工作時(shí)，它處于高阻狀態(tài)，不影響電路正常工作。當(dāng)電路出現(xiàn)異常瞬時(shí)過電壓 并達(dá)到其導(dǎo)通電壓（壓敏電壓）時(shí)，MOV迅速由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，泄放由異常瞬時(shí)過電壓導(dǎo)致的瞬時(shí)過電流，同時(shí)把異常瞬態(tài)過壓鉗制在一個(gè)安全水平之內(nèi)，從而保護(hù)后級(jí)電路免遭異常瞬時(shí)過電壓的損壞。

MOV具有較高的瞬時(shí)脈沖吸收能力，電容量較大，一般應(yīng)用于AC 交流輸入端防雷保護(hù)。由于壓敏電阻的浪涌吸收能力取決于它的物理尺寸，為此可通過制造不同大小的MOV而獲得不同的瞬態(tài)浪涌電流值。

• 高浪涌吸收能力，多種浪涌吸收能力：標(biāo)準(zhǔn)、高浪涌、超高浪涌，壓敏電阻的物理尺寸決定其浪涌吸收能力；

• 響應(yīng)速度快ns級(jí)

• 電壓范圍為18V~1800V，電壓精度通常為±10%，滿足低壓到高壓的應(yīng)用需求；

• 單體通流量可達(dá)到幾百安培至幾十千安培

•  一種老化型元器件，在大功率電源端口保護(hù)時(shí)，常與氣體放電管串聯(lián)使用，減緩老化，延長(zhǎng)使用壽命；

•  寄生電容大，在高頻信號(hào)系統(tǒng)中會(huì)引起高頻信號(hào)傳輸畸變；

1）壓敏電阻電壓值要大于實(shí)際電路中的電壓峰值，即連續(xù)施加在壓敏電阻兩端的電源電壓，要小于壓敏電阻規(guī)格書中的“最大持續(xù)工作電壓值”；

2）壓敏電阻的箝位電壓要小于被保護(hù)設(shè)備承受的最大電壓；

3）壓敏電阻的標(biāo)稱放電電流要大于線路中可能出現(xiàn)的最大浪涌電流；

4）對(duì)于高頻率傳輸信號(hào)的線路，電容要盡量的小；

5）要考慮使用環(huán)境，具體要求的浪涌電壓情況；

•  V1mA：壓敏電壓，即壓敏電阻通過1mA電流時(shí)，壓敏電阻兩端的電壓；

•  IR：漏電流，一般是在83%的壓敏電壓下測(cè)得流過壓敏電阻的電流；

• VAC：規(guī)定溫度下可連續(xù)施加MOV兩端的交流電壓；

• VDC：規(guī)定溫度下可連續(xù)施加在MOV兩端的直流電壓；

• IP：某一波形沖擊電流的峰值，MOV一般采用如圖5所示8/20μs電流波形進(jìn)行測(cè)量；

• VC：鉗位電壓，即在沖擊電流IP下MOV兩端的電壓；

• ITM：不引起MOV失效，可單次施加規(guī)定波形脈沖的額定最大值；需要注意的是，ITM為破壞性測(cè)試，測(cè)試過ITM的MOV不建議在電路中使用；

1）壓敏電壓的選擇：在電路保護(hù)中，綜合多方面因素，在交流電流中，要選用壓敏電壓為額定電壓2.2~2.5倍的壓敏電阻；在直流電路中，要選用壓敏電壓為直流電壓額定值1.8~2倍的壓敏電阻；

2）通流容量的選擇：原理上是按照最大暫態(tài)浪涌電流來選擇，但在實(shí)際應(yīng)用過程中，要適當(dāng)加大所選壓敏電阻的通流容量。

3）固有寄生電容：壓敏電阻有一個(gè)固有電容問題，根據(jù)外形尺寸和標(biāo)稱電壓的不同，其值在數(shù)百至數(shù)千pF之間，不適合在高頻場(chǎng)合下使用。同時(shí)，壓敏電阻的瞬時(shí)功率較大，但平均持續(xù)功率卻很小，因此，不能讓壓敏電阻長(zhǎng)時(shí)間處于工作狀態(tài)。

為了提高壓敏電阻的可靠性，壓敏電阻一般會(huì)配合陶瓷氣體放電管（GDT）或玻璃氣體放電管（SPG）一 起使用，以減緩壓敏電阻的老化。GDT和SPG具有較高的脈沖擊穿電壓和絕緣阻抗（100MΩ以上），在正常使用條件下，GDT 或SPG與壓敏電阻串聯(lián)再并聯(lián)在被保護(hù)線路，這樣壓敏電阻不會(huì)因?yàn)殡娋W(wǎng)的波動(dòng)或各種操作過電壓誤動(dòng)作以引起壓敏電阻的老化。