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Flash模擬EEPROM擦除時間太長

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樓主
大家好，

用的是STM32 MCU，為了省成本，用了內部Flash模擬EEPROM，Flash最小擦除單位是扇區，一個扇區大小是128K。

用一個扇區模擬EEPROM，當整個扇區寫滿后，擦除一次。但是規格書上寫的是擦除一個128K的扇區需要耗時1~2s,這個時間太長了！

肯定影響到系統實時性了。

有什么辦法可以解決嗎？看來還得用單獨的EEPROM芯片了！
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沙發
ID:1109793 發表于 2024-6-20 16:56 | 只看該作者
秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧
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板凳
ID:1108479 發表于 2024-6-20 17:25 | 只看該作者
xiaobendan001 發表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧

秒，確實是1~2s, 規格書上寫的，很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的？
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地板
ID:123289 發表于 2024-6-20 19:44 | 只看該作者
懷疑讀書不準確，當為ms級。將你讀的書貼出來看看。
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5#
ID:192020 發表于 2024-6-20 20:38 | 只看該作者
要擦128K這么多？單位是不是有問題
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6#
ID:1034262 發表于 2024-6-20 21:22 | 只看該作者
xiaobendan001 發表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會用，STC也不用2秒吧

STC8系列EEPROM扇區擦除幾個ms。
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7#
ID:57657 發表于 2024-6-21 06:25 | 只看該作者
看你程序使用了多少字節EEPROM，使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。
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8#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:33 | 只看該作者
qq475878026 發表于 2024-6-20 20:38
要擦128K這么多？單位是不是有問題

ST的高端MCU，STM32H743， 2M Flash, 最小擦除粒度確實是128K。
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9#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:37 | 只看該作者
yzwzfyz 發表于 2024-6-20 19:44
懷疑讀書不準確，當為ms級。將你讀的書貼出來看看。

用的是STM32H743，高端MCU ，內部2M flash，最小擦除粒度是128K，擦除時間如下圖，上面的單位是s (不確定有沒有看錯)。附件規格書你也可以看一下


STM32H743數據手冊.pdf

4.85 MB, 下載次數: 2
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10#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:43 | 只看該作者
npn 發表于 2024-6-21 06:25
看你程序使用了多少字節EEPROM，使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。

這個我知道，其實我問的是擦除時間長影響實時性的問題
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11#
ID:744809 發表于 2024-6-21 10:10 | 只看該作者
可以在程序初始化的時候擦除，就不會影響后面的實時性，當然啟動時間也有要求的話，就沒辦法了
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12#
ID:161164 發表于 2024-6-21 10:52 | 只看該作者
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory






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13#
ID:123289 發表于 2024-6-22 00:11 | 只看該作者
擦128K是秒級，擦一頁不需要這么多時間。
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14#
ID:1108479 發表于 2024-6-22 09:17 | 只看該作者
lkc8210 發表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

估計沒看我發的STM32H743的規格書，這個MCU沒有頁的概念，只有扇區概念，所以擦除單位只能按扇區來擦除，一個扇區是128K。所以這樣是不是無解了？不行的話，就用EEPROM了，國產的一個也沒幾個錢


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15#
ID:1108479 發表于 2024-6-22 09:17 | 只看該作者
yzwzfyz 發表于 2024-6-22 00:11
擦128K是秒級，擦一頁不需要這么多時間。

這顆MCU沒有頁而概念，只有扇區，一個扇區是128K，所以只能按照128K扇區擦除
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16#
ID:624769 發表于 2024-6-22 20:13 | 只看該作者
據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完成了才能獲得時鐘權限么？不能先干別的事？
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17#
ID:123036 發表于 2024-6-22 22:37 | 只看該作者
188610329 發表于 2024-6-22 20:13
據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

STM32H743雙bank把他分分應該不影響程序跑起來。
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18#
ID:828160 發表于 2024-6-23 15:41 | 只看該作者
lkc8210 發表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

這個不是H7xx的芯片吧
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19#
ID:844772 發表于 2024-7-1 11:39 | 只看該作者
我理解你的問題是，需要不斷讀取Flash，但擦除時會停止取指操作，MCU就像是卡了，但你給的手冊 P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ，看圖它分為flash A 和flash B，我理解如果讀取FLASHA時，可以對FLASHB進行擦除操作，在擦除的幾秒時間內，SysTick_Handler()中斷服務函數，uwTick記數器變化應該正常的。我的建議你應該理解吧？
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20#
ID:1108479 發表于 2024-7-1 11:54 | 只看該作者
188610329 發表于 2024-6-22 20:13
據說，STM是非常高級的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

我不太明白，擦除Flash的時候，CPU還能干別的事嗎？不是要等擦除完成嗎？難道擦除Flash的時候還能像DMA一樣操作？如果能這樣，那就好辦了
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