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注：RS485建議采用雙絞線連接，采用帶屏蔽的雙絞線連接，并將屏蔽層接地，總線上掛多個模塊時，采用手拉手不的連接方式。

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匯誠科技
實現功能:1對1輸入輸出自鎖控制程序
使用芯片：AT89S52 或者 STC89C52
晶振：11.0592MHZ
編譯環(huán)境：Keil
作者：zhangxinchunleo
【聲明】此程序僅用于學習與參考，引用請注明版權和作者信息！
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程序說明：
當IN0口與GND口接通后，對應的繼電器K8吸合(即：COM7與CK接通CB斷開)；
當IN1口與GND口接通后，對應的繼電器K7吸合(即：COM6與CK接通CB斷開)；
當IN2口與GND口接通后，對應的繼電器K6吸合(即：COM5與CK接通CB斷開)；
當IN3口與GND口接通后，對應的繼電器K5吸合(即：COM4與CK接通CB斷開)；
當IN4口與GND口接通后，對應的繼電器K4吸合(即：COM3與CK接通CB斷開)；
當IN5口與GND口接通后，對應的繼電器K3吸合(即：COM2與CK接通CB斷開)；
當IN6口與GND口接通后，對應的繼電器K2吸合(即：COM1與CK接通CB斷開)；
當IN7口與GND口接通后，對應的繼電器K1吸合(即：COM0與CK接通CB斷開)；
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#include<STC12C5A60S2.h> //庫文件
#define uchar unsigned char//宏定義無符號字符型
#define uint unsigned int //宏定義無符號整型
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初始定義
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/*定義八位輸入為單片機P1口*/
sbit IN0=P0^0;
sbit IN1=P0^1;
sbit IN2=P0^2;
sbit IN3=P0^3;
sbit IN4=P0^4;
sbit IN5=P0^5;
sbit IN6=P0^6;
sbit IN7=P0^7;
/*定義八位輸出為單片機P2口*/
sbit K1=P2^6;
sbit K2=P2^7;
sbit K3=P5^1;
sbit K4=P5^0;
sbit K5=P4^6;
sbit K6=P4^1;
sbit K7=P4^5;
sbit K8=P4^4;
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延時函數
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void delay(uchar t)
{
uchar i,j;
for(i=0;i<t;i++)
{
for(j=13;j>0;j--);
{ ;
}
}
}
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主函數
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void main()
{
P4SW|=0x70; //配置P4.5為IO口
while(1)
{
if(IN0==0){delay(100);while(!IN0);K8=0;} //繼電器K8閉合
if(IN1==0){delay(100);while(!IN1);K7=0;} //繼電器K7閉合
if(IN2==0){delay(100);while(!IN2);K6=0;} //繼電器K6閉合
if(IN3==0){delay(100);while(!IN3);K5=0;} //繼電器K5閉合
if(IN4==0){delay(100);while(!IN4);K4=0;} //繼電器K4閉合
if(IN5==0){delay(100);while(!IN5);K3=0;} //繼電器K3閉合
if(IN6==0){delay(100);while(!IN6);K2=0;} //繼電器K2閉合
if(IN7==0){delay(100);while(!IN7);K1=0;} //繼電器K1閉合
}
}
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結束
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復制代碼

FET 型	MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點	標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	27 毫歐 @ 26A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)	55V
Id 時的 Vgs(th)（最大）	4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C	44A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)	1300pF @ 25V
功率 - 最大	107W
安裝類型	表面貼裝

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