標題: Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構 [打印本頁]
作者: 電13691982107 時間: 2018-7-19 14:38
標題: Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構
Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構
Nand flash的內(nèi)部組織結構，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：
圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結構
Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構.png (52.42 KB, 下載次數(shù): 54)
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2018-7-19 14:38 上傳
上圖是AFND1G08U3的datasheet中的描述。
簡單解釋就是:
1.一個nand flash由很多個塊（Block）組成，
塊的大小一般是
-> 128KB，
-> 256KB，
-> 512KB
此處是128KB。
2.每個塊里面又包含了很多頁（page）。每個頁的大小，
老的nand flash，頁大小是256B，512B，
這類的nand flash被稱作small block，。地址周期只有4個。
對于現(xiàn)在常見的nand flash多數(shù)是2KB，
被稱作big block，對應的發(fā)讀寫命令地址，一共5個周期(cycle)，
更新的nand flash是4KB，
塊，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小單位。
3.每一個頁，對應還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域（spare area）/冗余區(qū)域（redundant area），而Linux系統(tǒng)中，一般叫做OOB（Out Of Band），這個區(qū)域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易錯誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應的檢測和糾錯機制，此機制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以設計了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。
頁, 是Nand Flash的寫入操作的基本/最小的單位。
【Nand Flash數(shù)據(jù)存儲單元的整體架構】
簡單說就是，常見的nand flash，內(nèi)部只有一個chip，每個chip只有一個plane。
而有些復雜的，容量更大的nand flash，內(nèi)部有多個chip，每個chip有多個plane。這類的nand flash，往往也有更加高級的功能，比如Multi Plane Program和Interleave Page Program等。
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