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標(biāo)題: 分立的HEXFET功率MOSFET IR選型指南(詳細(xì)的參數(shù)列表) [打印本頁(yè)]

作者: ashly0903 時(shí)間: 2018-11-30 09:43
標(biāo)題: 分立的HEXFET功率MOSFET IR選型指南(詳細(xì)的參數(shù)列表)
附件為IR選型內(nèi)容，值得推薦
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源（SMPS）的整流組件。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。

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IR產(chǎn)品選型指南(不錯(cuò)).zip (150.24 KB, 下載次數(shù): 22)

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