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標題: FPGA SDRAM讀寫操作 [打印本頁]

作者: 牛的你 時間: 2018-12-24 11:11
標題: FPGA SDRAM讀寫操作
SDRAM read and write

2.1.1 SDRAM 的控制時序
SDRAM 需要正確的上電邏輯和模式設置來進入期望的工作模式。訪問特定的邏輯單元必須先激活相應的存儲塊，并鎖定對應的行列地址。另外，必須有定時的刷新邏輯保持數據不丟失，SDRAM 有多種操作模式，由引腳 CS＃、RAS＃、CAS＃、WE＃和地址信號的不同狀態來決定，SDRAM控制器必須為 SDRAM 提供滿足時序要求的這些控制信號，以準確地控制 SDRAM的各種不同操作。

2.1.2 SDRAM 初始化和模式設置
SDRAM 的所有電源引腳必須同時加電，并且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標稱值 0.3V。加電完成后應等待 100us 之后再對所有 BANK 進行預充電，等待期間要求 CKE 保持高電平。預充電之后要執行兩個自動刷新命令，之后發出模式設置命令以初始化模式寄存器。由于在上電后模式寄存器的狀態是不確定的，所以在進行 SDRAM操作之前一定要先設置模式寄存器。模式設置命令使用地址線 A10~A0 作為模式數據輸入線。其中 A2~A0 作為 Burst 長度，A3 為 Burst 類型，A6~A4 為 CAS 延遲。A8~A7 為操作模式，A9 為寫 Burst 模式。模式寄存器的設置值必須與器件的延遲參數以及讀寫操作的控制時序一致。模式寄存器的設置值如下表所示。

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M14_SDRAM read and write.zip

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作者: HAWLEY 時間: 2019-2-15 12:47
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