久久久久久久999_99精品久久精品一区二区爱城_成人欧美一区二区三区在线播放_国产精品日本一区二区不卡视频_国产午夜视频_欧美精品在线观看免费

標題: 空穴遷移率低的P溝道MOS管 [打印本頁]

作者: 元器件 時間: 2019-2-22 14:51
標題: 空穴遷移率低的P溝道MOS管
MOS管分P溝道和N溝道兩種。因為NMOS管導通電阻小，容易制造，多數人都是使用NMOS管。但并非所有的工廠都會選擇NMOS管，比如一些中小型的數字控制電路至今仍然采用PMOS管技術。所以PMOS管與NMOS管相比也不會毫無優勢。

P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS管的跨導小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高，懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的使用范疇有了一定的限制。

PMOS管因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS管電路呈現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS管電路工藝簡單，價錢低廉，有些中范圍和小范圍數字控制電路仍采用PMOS管電路技術。PMOS管的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適宜用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。

但是，固然PMOS管可以很便當地用作高端驅動，但由于導通電阻大，交流種類少等緣由，在高端驅動中，通常還是運用NMOS管。正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。

歡迎光臨 (http://m.zg4o1577.cn/bbs/)