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標題: [轉(zhuǎn)帖]新一代功率半導體分立器件 [打印本頁]

作者: hodenshi 時間: 2013-1-29 15:51
標題: [轉(zhuǎn)帖]新一代功率半導體分立器件
具有世界最先進水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國北車山西永濟電機公司成功下線。這個順利通過動靜態(tài)試驗的6500V/600A IGBT產(chǎn)品，是目前世界上電壓等級最高的產(chǎn)品，將為我國軌道交通裝備提供強勁的“中國芯”。

　　專家介紹，IGBT是指絕緣柵雙極型晶體管，是繼雙極晶體管(GTR)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)后的新一代功率半導體分立器件，既具有MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又具有GTR的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點，是自動控制和功率變換的關(guān)鍵核心器件，也是機車、動車得以運行的“大腦”模塊，被廣泛應用在以高鐵為代表的軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風電、太陽能、電動汽車、家電等產(chǎn)業(yè)中。

　　據(jù)了解，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費市場，但整個IGBT市場大部分由國外廠商占據(jù)，其中IGBT芯片完全依賴進口，關(guān)鍵技術(shù)被國外大公司壟斷，國內(nèi)難以實現(xiàn)突破，成本難以降低。

　　為了搶占回大功率IGBT器件每年30多億元的市場，永濟電機公司不僅引進了國際水平的變流技術(shù)，而且形成了強大的研發(fā)制造能力，建成投用了世界一流水平的IGBT封裝線

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