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標題: 全新耐高溫2Mbit FRAM是ADAS存儲的理想之選 [打印本頁]

作者: 英尚微電子    時間: 2020-9-24 14:50
標題: 全新耐高溫2Mbit FRAM是ADAS存儲的理想之選
FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數據,即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點,具有高速寫數據,低功耗,高速讀/寫周期等優點。

富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高溫下正常工作,工作電壓可低至1.7V至1.95V,并設有串行外設接口(SPI)。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最佳選擇,它能滿足汽車市場對諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求。

圖1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝



圖2:應用實例(ADAS)


FRAM的讀/寫耐久性、寫速度和功耗都比EEPROM和FRAM好,我們的FRAM被那些不滿足傳統非易失性存儲器性能的用戶所接受。

富士通不斷推出64Kbit~2Mbit汽車級FRAM產品,工作電壓3.3V或5V。但是高端汽車電控單元的推出,使一些用戶開始要求FRAM電壓不超過1.8V。這款全新的FRAM是富士通公司為滿足這個市場需求而推出的。

在-40°C至+125°C的溫度范圍內,MB85RS2MLY的讀/寫次數可達10MB,適合某些需要實時數據記錄的應用,如連續10年每天記錄0.1秒的數據,寫入次數將超過30億。本產品的可靠性測試符合AEC-Q100Grade1標準,并通過了汽車級產品認證。所以就數據寫入耐久性和可靠性而言,富士通電子最近推出的鐵電存儲器FRAM完全支持ADAS等應用,需要實時數據記錄。

該FRAM產品采用工業標準8-pin SOP封裝,可以很容易地替代現有的EEPROM,類似于管腳。提供8-pinDFN(無引線雙面平面)封裝,外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。


圖3:8pin DFN和8pin SOP封裝


關鍵規格

• 組件型號:MB85RS2MLY

• 容量(組態):2 Mbit(256K x 8位)

• 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

• 運作頻率:最高50 MHz

• 運作電壓:1.7伏特 - 1.95伏特

• 運作溫度范圍:攝氏零下40度 - 攝氏125度

• 讀∕寫耐用度:10兆次 (1013次)

• 封裝規格:8-pin SOP與8-pin DFN

• 認證標準:符合AEC-Q100 Grade


作者: 英尚微電子    時間: 2020-9-24 14:50
FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數據,即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。
作者: 英尚微電子    時間: 2020-9-24 14:53
FRAM結合了ROM和RAM的特點,具有高速寫數據,低功耗,高速讀/寫周期等優點。




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