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標(biāo)題: 關(guān)于STC8H單片機(jī)掉電模式電流問題 [打印本頁]

作者: 18701931930 時(shí)間: 2021-10-11 09:15
標(biāo)題: 關(guān)于STC8H單片機(jī)掉電模式電流問題

數(shù)據(jù)手冊(cè)上說，單片機(jī)掉電模式電流0.4ua,但是我測(cè)試掉電模式電流有1.5ma
網(wǎng)上有人說有漏電流，或者其他功能打開了。
電路用的是LQFP32轉(zhuǎn)DIP32的轉(zhuǎn)接板，代碼也很簡(jiǎn)單。就只是測(cè)掉電模式電流。
有高手指點(diǎn)下嗎？謝謝

作者: wulin 時(shí)間: 2021-10-11 10:06
掉電模式電流是指關(guān)閉芯片所有輸出和內(nèi)置外設(shè)的電流。

作者: lkc8210 時(shí)間: 2021-10-11 10:21
本帖最后由 lkc8210 于 2021-10-11 10:23 編輯

我試過把STC15的IO 設(shè)為高阻然后進(jìn)入掉電
也發(fā)現(xiàn)還有幾毫安
然后把IO設(shè)為準(zhǔn)雙向再進(jìn)入掉電
就能實(shí)現(xiàn)幾微安
你可以從這方向試一下

作者: 188610329 時(shí)間: 2021-10-11 12:22
首先, 掉電模式的 0.4uA，只是指這么模式，消耗的電流是0.4uA（還是3.3V的前提），而不是說在這個(gè)模式下，整個(gè)單片機(jī)的電流只有0.4uA，換個(gè)說法，你要達(dá)到1uA以下這個(gè)電流，需要滿足很多條件：

首先，供電電壓3.3V, 其次所有的IO都切換到高阻模式（包括P3.0,3.1），然后關(guān)閉所有中斷，關(guān)閉所有定時(shí)器，關(guān)閉所有比較器，以及其他各種檢測(cè)用模塊，等等。而比如低壓檢測(cè)模塊會(huì)消耗10uA電流，找遍整本手冊(cè)你都找不到任何可以關(guān)閉他的地方，即使不開低壓中斷，LVDF標(biāo)志始終會(huì)動(dòng)作。所以，看過就看過了，別覺得可以達(dá)到就好了。

作者: 18701931930 時(shí)間: 2021-10-11 12:49

IO口默認(rèn)高阻，其他功能我也沒打開啊。

作者: 188610329 時(shí)間: 2021-10-11 13:41

18701931930 發(fā)表于 2021-10-11 12:49
IO口默認(rèn)高阻，其他功能我也沒打開啊。

大多數(shù)IO默認(rèn)高阻，但是，不包括P3.0 P3.1, 所以要手動(dòng)高阻。其他功能很多是默認(rèn)開，需要你手動(dòng)關(guān)閉，在所有IO懸空，設(shè)為高阻，關(guān)閉各種可以關(guān)閉的模塊后，電流<50uA 是沒什么問題的，但是要達(dá)到他說的0.4uA是不可能的，只有他們實(shí)驗(yàn)室才能出來這個(gè)結(jié)果。

LVD就很可笑了，能夠關(guān)閉的只是ELVD中斷，但是 LVD低壓檢測(cè)根本沒有辦法關(guān)，ISP燒錄器可以選擇LVD檢測(cè)閥值就是沒有關(guān)閉LVD檢測(cè)的選項(xiàng)。所以關(guān)閉LVD只是在STC內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室才存在。
STC的手冊(cè)，前后矛盾的地方有很多，你也不用盡信。

作者: 18701931930 時(shí)間: 2021-10-11 21:39
void LOW_Mode()
{
P0M1=0xFF; //高阻態(tài)
P0M0=0x00;
P1M1=0xFF;
P1M0=0x00;
P2M1=0xFF;
P2M0=0x00;
P3M1=0xFF;
P3M0=0x00;
P5M1=0xFF;
P5M0=0x00;

P0NCS=0xFF; //禁止施密特觸發(fā)器
P1NCS=0xFF;
P2NCS=0xFF;
P3NCS=0xFF;
P5NCS=0xFF;

P0IE=0x00; //禁止數(shù)字輸入
P1IE=0x00;
P3IE=0x00;

_nop_();
_nop_();
PCON=0x02; //進(jìn)入掉電模式
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
}

正常測(cè)電流為690ua,用手觸摸芯片電流變成438ua.
不知道還有什么模塊沒關(guān)的。

作者: MOVEORDIE 時(shí)間: 2021-10-11 21:43
8H的沒有測(cè)過，8G系列的測(cè)過，掉電模式下電流用萬用表測(cè)確實(shí)只有0.4uA。你要關(guān)閉所有外設(shè)，內(nèi)部定時(shí)器、AD電源、IO設(shè)置為高阻等，最簡(jiǎn)單的就只焊接芯片，這樣一下就可以測(cè)出來是哪里問題了

作者: 188610329 時(shí)間: 2021-10-11 23:16

18701931930 發(fā)表于 2021-10-11 21:39
void LOW_Mode()
{
P0M1=0xFF; //高阻態(tài)

嗯，至少比你一開始1.5mA小了很多了，

需要關(guān)的還有很多，太久了，也記不清了。
好像比較器有個(gè)濾波要關(guān)，比較器正負(fù)極都要切換到內(nèi)部，然后有幾個(gè)和時(shí)鐘相關(guān)的分頻器要關(guān)，ADC通道要切換到空，
你可以打開寄存器列表，對(duì)照著關(guān)看看。

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2021-10-12 00:13
進(jìn)入掉電模式之后,所有的端口會(huì)保持進(jìn)入掉電模式前一刻的狀態(tài),這一點(diǎn)很重要,也就是說,進(jìn)入掉電模式之前,端口的電平不會(huì)改變,而且片上所有的端口寄存器也都不會(huì)改變
解決這個(gè)問題實(shí)際上是很簡(jiǎn)單的
單片機(jī)只留下電源的濾波電容,其實(shí)所有的外圍元件都不要,然后進(jìn)入掉電模式,電流如果是在正常待機(jī)電流范圍內(nèi),說明你的掉電模式代碼是沒有問題的,剩下就是外圍元件的問題了
外圍電路不同,進(jìn)入掉電模式之前的端口處理也會(huì)不同,有的要高電平,有的要低電平
至于ADC和比較器什么,并不是電流達(dá)到1.5mA的原因

作者: 18701931930 時(shí)間: 2021-10-12 20:38

lkc8210 發(fā)表于 2021-10-11 10:21
我試過把STC15的IO 設(shè)為高阻然后進(jìn)入掉電
也發(fā)現(xiàn)還有幾毫安
然后把IO設(shè)為準(zhǔn)雙向再進(jìn)入掉電

謝謝！
按照你的方法，把所有IO設(shè)為準(zhǔn)雙向，然后設(shè)置掉電喚醒定時(shí)器并進(jìn)入掉電模式。
電流變成2.5ua 。那這樣的話，每次喚醒后要重新配置IO模式了。

void main()
{
P_SW2 = 0x80;

Delay2000ms();

P0M0 = 0x00;
P0M1 = 0x00;
P1M0 = 0x00;
P1M1 = 0x00;
P2M0 = 0x00;
P2M1 = 0x00;
P3M0 = 0x00;
P3M1 = 0x00;
P4M0 = 0x00;
P4M1 = 0x00;
P5M0 = 0x00;
P5M1 = 0x00;

WKTCL=0x10; //掉電喚醒定時(shí)器 5S
WKTCH=0xA7;

while(1)
{
_nop_();
_nop_();
PCON=0x02; //進(jìn)入掉電模式
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();

P0=~P0;
}
}

作者: 18701931930 時(shí)間: 2021-10-12 20:40

188610329 發(fā)表于 2021-10-11 23:16
嗯，至少比你一開始1.5mA小了很多了，

需要關(guān)的還有很多，太久了，也記不清了。

謝謝指導(dǎo)！
減小了將近一半，但不是很滿意啊。

作者: angmall 時(shí)間: 2021-10-12 20:44
定時(shí)喚醒定時(shí)器功耗大約是1.8uA

作者: Jiang_YY 時(shí)間: 2021-10-12 22:18

18701931930 發(fā)表于 2021-10-11 21:39
void LOW_Mode()
{
P0M1=0xFF; //高阻態(tài)

懸空的IO，要設(shè)置為輸出模式，使IO口的電平固定。如果設(shè)置為輸入模式，IO口懸空時(shí)電平會(huì)有很微小的變化，會(huì)導(dǎo)致uA級(jí)微小的電流，電流大小跟具體使用芯片的輸入電路有關(guān)。

作者: 188610329 時(shí)間: 2021-10-12 22:32

18701931930 發(fā)表于 2021-10-12 20:38
謝謝！
按照你的方法，把所有IO設(shè)為準(zhǔn)雙向，然后設(shè)置掉電喚醒定時(shí)器并進(jìn)入掉電模式。
電流變成2.5ua ...

配置 P0~P5 的IO模式，總共花不了 2us 的時(shí)間，既然目的是省電，僅僅切換IO模式就能達(dá)到目的，已經(jīng)算工作量很小的了，知足吧。

給你一個(gè)快速更改IO模式的頭文件，你好輕松點(diǎn)。
http://m.zg4o1577.cn/bbs/dpj-211950-1.html

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-26 18:37
本帖最后由 ax6808 于 2022-3-27 22:39 編輯

最后實(shí)踐證明：
省電主要靠低壓MCU+掉電喚醒模式；掉電前關(guān)閉所有不必要的功能如ADC等等等等，所有I/O設(shè)置為準(zhǔn)雙向并寫1，喚醒后恢復(fù)原I/O口設(shè)置及有關(guān)功能，這樣最省電�。。。。。�

剛測(cè)試了一下STC8H1K08核心板無外圍電路，掉電喚醒前后電流變化：
記錄:1.裸板只有P12 led;PD前 VDD=5V,3.2mA, VDD=3.7V,2.6mA;
2. PD前全設(shè)雙向置1(只P12=0排除LED影響),PD后設(shè)回:VDD=5V,0.37mA降為0.3mA;VDD=3.7V時(shí)效果明顯!!!,30μA降為2μA(2mA檔);
5V不知道為什么多那么多，暫未經(jīng)過進(jìn)一步的測(cè)試考究。

另外，手冊(cè)描述注意：
當(dāng)有I/O口被選擇為ADC輸入通道時(shí)，必須設(shè)置PxM0/PxM1寄存器將I/O口模式設(shè)置為輸入模式。（這個(gè)好理解，必須的）；
另外如果MCU進(jìn)入掉電模式/時(shí)鐘停振模式后，仍需要使能ADC通道，則需要設(shè)置PxIE寄存器關(guān)閉數(shù)字輸入，才能保證不會(huì)有額外的耗電；（如何關(guān)閉數(shù)字輸入？？？？我只是PD前關(guān)閉了ADC功能也一樣省電吧？）

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-26 18:40

Jiang_YY 發(fā)表于 2021-10-12 22:18
懸空的IO，要設(shè)置為輸出模式，使IO口的電平固定。如果設(shè)置為輸入模式，IO口懸空時(shí)電平會(huì)有很微小的變化， ...

不是的！

5. 特別注意：由于 STC8H 系列的所有 I/O（除了 ISP 下載口 P3.0/P3.1 外）在上電后都是高
阻輸入模式， I/O 外部電平不固定，此時(shí)如果 MCU 直接進(jìn)入掉電模式/停機(jī)模式，會(huì)導(dǎo)致
I/O 有額外的耗電，所有在 MCU 進(jìn)入掉電模式/停機(jī)模式前，必須將所有 I/O 口都根據(jù)實(shí)
際情況設(shè)置好 I/O 口的模式，對(duì)于所有沒有使用的外部懸空的 I/O 都需要設(shè)置為準(zhǔn)雙向口，
并固定輸出高電平。特別是部分管腳的芯片，由于芯片內(nèi)部有部分 I/O 口并沒有打線到外
部管腳，所以這些 I/O 也是處于懸空狀態(tài)的，這部分 I/O 也需要設(shè)置為準(zhǔn)雙向口，并固定
輸出高電平。

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-26 18:47
最后實(shí)際3.3V時(shí)2μA左右就對(duì)了：掉電模式本身0.4μA,掉電喚醒定時(shí)器1.5μA,總共約2μA就對(duì)了�。�！
VDD為5V時(shí)大很多！
我前面用的USB轉(zhuǎn)串口的3.7V電壓腳（本來有3.3V腳的,我把它跟VCC腳焊在一起了沒分開,而VCC腳只是5V串了2個(gè)二極管后約3.7V出來的）。

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-27 22:53
今天又測(cè)試了一下我的實(shí)際模塊STC8+硬件I2C電路板。VCC3.7V鋰電池供電,VDD LDO3.3V，TSSOP20封裝，3個(gè)腳為ADC高阻輸入，6個(gè)腳接I2C或控制腳及2個(gè)腳串口準(zhǔn)雙向，其余空腳設(shè)準(zhǔn)雙向?qū)?，4秒掉電喚醒一次...最終掉電后的電流也只做到29μA就再也下不來了（掉電前已關(guān)閉ADC、串口中斷，I/O口設(shè)為全高阻等等電流都不會(huì)更小了）.理論上還可以降低掉電后的電流的？？？LDO有幾μA,I2C傳感器2腳本身極省電模式最多幾μ安有10K上拉電阻查詢模式。。。。
也不知道掉電期間還有什么內(nèi)部功能可以關(guān)閉進(jìn)一步省電。

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-27 23:04
關(guān)于STC8等單片機(jī)I/O口的準(zhǔn)雙向模式有關(guān)問題討論
1、準(zhǔn)雙向一般只能用于數(shù)字輸入輸出，輸入時(shí)為弱上拉狀態(tài)，端口只有兩種狀態(tài)：高或低：很好理解！

2、準(zhǔn)雙向口讀外部狀態(tài)前，要先鎖存為1，才能讀到外部正確的狀態(tài)：不太理解！
（1）什么叫鎖存為1？？就是通俗的寫1吧？
我的開關(guān)直接接端口和地，之所以端口設(shè)為準(zhǔn)雙向并寫1（跟懸空腳的正確處理方法完全相同！！），判斷開關(guān)狀態(tài)（查詢非中斷）只用到“if某端口=0/1”就好，沒搞其他代碼，也沒有"等待兩個(gè)時(shí)鐘_nop_()"，。是因?yàn)檫@樣既簡(jiǎn)單可靠又省電，而且還省掉了外接上/下拉電阻。若設(shè)置為“高阻輸入”去判斷按鍵狀態(tài)，還得額外增加合適阻值的上拉、下拉或分壓電阻，STC內(nèi)部已有好幾種上拉電阻可用，不是自找麻煩么。
（2）什么叫“讀取外部正確的狀態(tài)”？？
只用于沒外接上/下拉電阻的按鍵或開關(guān)狀態(tài)之列的識(shí)別么？

如I2C外設(shè)的2腳連接及其讀寫，我感覺只設(shè)雙向就好，無需也不用寫1，實(shí)際我也沒寫1，也沒有"等待兩個(gè)時(shí)鐘_nop_()"，讀寫都沒有發(fā)現(xiàn)問題，是因?yàn)镮2C等外設(shè)的數(shù)據(jù)線上已經(jīng)有上拉電阻了么？

那么；下面例程中的“雙向口讀寫操作”中的讀部分，不知道究竟該怎么準(zhǔn)確應(yīng)用？P00 = 1讀取端口前先使能內(nèi)部弱上拉電阻還等待兩個(gè)時(shí)鐘？
P00 = 1; //讀取端口前先使能內(nèi)部弱上拉電阻
_nop_(); //等待兩個(gè)時(shí)鐘
_nop_(); //
CY = P00; //讀取端口狀態(tài)
...

(3)解釋的比較完整的(也只說了基本原理還是沒說到具體使用方面的點(diǎn)子上):

準(zhǔn)雙向口向端口寫1：就是向鎖存器寫1，也就是讓其口輸出FF。

為什么，是這樣的，給鎖存器寫1，那么鎖存器的反向端就輸出0，那么和它相接的MOS管也就在截止?fàn)顟B(tài)，也就是呈高阻態(tài)，這樣口上數(shù)據(jù)就會(huì)從讀引腳的三態(tài)緩沖器上正確的輸入，如果不寫1，那么鎖存器上次鎖存的可能為0，那么反向端有可能出現(xiàn)1，這樣和反向端相接的MOS管就倒通，也就是直接拉到地，那么不管你口上輸入什么信號(hào)都會(huì)拉成低電平，輸入就錯(cuò)了。

雙向口與準(zhǔn)雙向口的區(qū)別主要是：

準(zhǔn)雙向口I/O口操作時(shí)做數(shù)據(jù)輸入時(shí)需要對(duì)其置1,否則若前一位為低電平，后一位輸入的電平為高則MOS管拉不起來導(dǎo)致出錯(cuò)。而雙向口則不需要做此動(dòng)作，因?yàn)殡p向口有懸浮態(tài)。
準(zhǔn)雙向口只能有效的讀取0，而對(duì)1則是采用讀取非零的方式，就是讀入的時(shí)候要先向接口上寫1，然后再讀。真正的雙向口正如其名，就是真正的雙向io不需要任何預(yù)操作可直接讀入讀出。

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-30 01:48
本帖最后由 ax6808 于 2022-3-30 21:55 編輯

ax6808 發(fā)表于 2022-3-26 18:37
最后實(shí)踐證明：
省電主要靠低壓MCU+掉電喚醒模式；掉電前關(guān)閉所有不必要的功能如ADC等等等等，所有I/O設(shè)置 ...

查到怎么"關(guān)閉數(shù)字輸入"了,有空實(shí)測(cè)一下究竟還有沒油水??

STC8H的最新手冊(cè)(20211221版)說的較詳細(xì)(之前版本還漏了P4IE到P7IE等):
6.5.1電源控制寄存器（ PCON）
PD：時(shí)鐘停振模式/掉電模式/停電模式控制位
0：無影響
1：?jiǎn)纹瑱C(jī)進(jìn)入時(shí)鐘停振模式/掉電模式/停電模式， CPU 以及全部外設(shè)均停止工作。喚醒后硬件自動(dòng)
清零。（注：時(shí)鐘停振模式下， CPU 和全部的外設(shè)均停止工作，但 SRAM 和 XRAM 中的數(shù)據(jù)是一直維持不變的）
9.1.2端口模式配置寄存器（ PxM0， PxM1）
注意：當(dāng)有I/O口被選擇為ADC輸入通道時(shí)，必須設(shè)置PxM0/PxM1寄存器將I/O口模式設(shè)置為輸入模式。
另外如果MCU進(jìn)入掉電模式/時(shí)鐘停振模式后，仍需要使能ADC通道，則需要設(shè)置PxIE寄存器關(guān)閉數(shù)字輸入，才能保證不會(huì)有額外的耗電。
（進(jìn)入掉電模式CPU以及全部外設(shè)均停止工作了，“仍需要使能ADC通道...“是什么意思？？？我還干脆ADC完就直接將ADC_POWER都關(guān)掉了！）

9.1.7 端口數(shù)字信號(hào)輸入使能控制寄存器（ PxIE）
數(shù)字信號(hào)輸入使能控制
0：禁止數(shù)字信號(hào)輸入。若 I/O 被當(dāng)作比較器輸入口、 ADC 輸入口、觸摸按鍵輸入口或者為外部晶振接入腳等模擬口時(shí)，進(jìn)入時(shí)鐘停振模式前，必須設(shè)置為 0，否則會(huì)有額外的耗電。
1：使能數(shù)字信號(hào)輸入。若 I/O 被當(dāng)作數(shù)字口時(shí)，必須設(shè)置為 1，否 MCU 無法讀取外部端口的電平。
特別注意(新版手冊(cè)才有加注)：對(duì)于具有 RTC 功能的 MCU，當(dāng) RTC 的時(shí)鐘源選擇外部 32.768K 的晶振時(shí)，需要將晶振接入腳 P1.6 和 P1.7 的數(shù)字通道關(guān)閉，否則進(jìn)入 STOP 模式后會(huì)有額外的漏電。（將寄存器 P1IE的 bit6 和 bit7 都設(shè)置為 0 即可關(guān)閉 P1.6 和 P1.7 的數(shù)字通道）。
17.1.1 ADC控制寄存器（ ADC_CONTR）
ADC_POWER： ADC 電源控制位
0：關(guān)閉 ADC 電源
1：打開 ADC 電源。
建議進(jìn)入空閑模式和掉電模式前將 ADC 電源關(guān)閉，以降低功耗。

ADC_CHS[3:0]： ADC 模擬通道選擇位
（注意：被選擇為 ADC 輸入通道的 I/O 口，必須設(shè)置 PxM0/PxM1 寄存器將 I/O 口模式設(shè)置為高阻輸入模式。另外如果 MCU 進(jìn)入掉電模式/時(shí)鐘停振模式后，仍需要使能 ADC 通道，則需要設(shè)置PxIE 寄存器關(guān)閉數(shù)字輸入通道，以防止外部模擬輸入信號(hào)忽高忽低而產(chǎn)生額外的功耗）。

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-3-31 00:40

ax6808 發(fā)表于 2022-3-27 22:53
今天又測(cè)試了一下我的實(shí)際模塊STC8+硬件I2C電路板。VCC3.7V鋰電池供電,VDD LDO3.3V，TSSOP20封裝，3個(gè)腳為A ...

剛才最后測(cè)試驗(yàn)證了：我的STC8G模塊，掉電前設(shè)置PxIE寄存器，每關(guān)閉一路ADC數(shù)字輸入通道,掉電后流還可進(jìn)一步減少15～17μA! 對(duì)于超低功耗產(chǎn)品設(shè)計(jì)，意義很大。
原來實(shí)測(cè)掉電后總約29.8μA,現(xiàn)在已降到16.2μA！（還不知道有沒有其他油水，呵呵! 學(xué)無止境!）

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2022-3-31 16:14

ax6808 發(fā)表于 2022-3-31 00:40
剛才最后測(cè)試驗(yàn)證了：我的STC8G模塊，掉電前設(shè)置PxIE寄存器，每關(guān)閉一路ADC數(shù)字輸入通道,掉電后流還可進(jìn) ...

還在整這個(gè)???
STC8G壓根就不需要設(shè)置PxIE,我從來不管這個(gè)寄存器
我一直在用這個(gè)單片機(jī),最小系統(tǒng)掉電模式下.4.2V供電的待機(jī)電流就是3.5uA,可能是萬用表測(cè)量有誤差,但大概就是這個(gè)值左右
跟設(shè)置不設(shè)置PxIE沒有關(guān)系,從來都是默認(rèn)值
如果你的電路超過這個(gè)值了,那就是外圍其它電路在耗電,我?guī)讉€(gè)月就回復(fù)過這個(gè)帖子了
我從來不設(shè)置PxIE,掉電模式電流一直是在5uA以下的
ADC引腳也不需要重新設(shè)置,只要關(guān)閉ADC電源就行了
所有STC8G的端口設(shè)置只在程序初始化的時(shí)候設(shè)置一次而已,待機(jī)電流一樣的能在5uA以下

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-4-1 01:07

Y_G_G 發(fā)表于 2022-3-31 16:14
還在整這個(gè)???
STC8G壓根就不需要設(shè)置PxIE,我從來不管這個(gè)寄存器
我一直在用這個(gè)單片機(jī),最小系統(tǒng)掉電模 ...

感謝回復(fù)!!!
未見你有過回復(fù),或許刪除了；
反正我就2個(gè)ADC、1個(gè)I2C、2個(gè)開關(guān)、4個(gè)控制腳、其他空腳：
目前做到:總16.2μA-LDO7μA-ADC分壓電阻6μA-I2C傳感器待機(jī)0.2μA≈3μA(STC8掉電時(shí)電流，萬用表校準(zhǔn)過)。
目前我的比較精確的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)事實(shí)就如此,都反復(fù)歸零驗(yàn)證過的；

之前ADC轉(zhuǎn)換完就已經(jīng)關(guān)了ADC電源的（不然電流就更大了），反正目前掉電前若不不關(guān)閉數(shù)字輸入，就一定會(huì)每一路多16μA。

后來沒啥事，反正俺近期有的是時(shí)間，能省的電必須�。》凑壳暗腟TC5最低約3μA（±0.5μA精度）我是做到了。待機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)3倍!!非�？捎^!原來總約48μA,現(xiàn)在16.2μA(少2路ADC影響約2*16μA).其實(shí)還可省零點(diǎn)幾μA但沒什么實(shí)際意義了.呵呵!不如結(jié)案也罷!

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-4-1 01:18

Y_G_G 發(fā)表于 2022-3-31 16:14
還在整這個(gè)???
STC8G壓根就不需要設(shè)置PxIE,我從來不管這個(gè)寄存器
我一直在用這個(gè)單片機(jī),最小系統(tǒng)掉電模 ...

最后回復(fù)一下:
你從來不設(shè)置PxIE,掉電模式電流一直是在5uA以下的?：我之前有1路ADC平時(shí)低電平時(shí)就測(cè)不出來影響，但碰到高電平時(shí)就會(huì)多出16μA,后來仔細(xì)對(duì)比檢查2路才發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題（另1路一上電就是高電平）。
ADC引腳也不需要重新設(shè)置,只要關(guān)閉ADC電源就行了：看到手冊(cè)有寫我才會(huì)去驗(yàn)證，果然如此！
所有STC8G的端口設(shè)置只在程序初始化的時(shí)候設(shè)置一次而已：真不是這樣子的，STC手冊(cè)不斷更新中...呵呵,你懂的。

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2022-4-1 11:32
是的,在我代碼中,不設(shè)置PxIE,但掉電電流一直都是可以在5uA以下的,如果你的做不到,要么是代碼有問題,要么是外圍電路的問題
你ADC分壓電阻還耗電????你不會(huì)是直接就串聯(lián)兩個(gè)電阻來采樣吧?在電池供電中怎么可能用這種采樣方法呢?
端口只要初始化一次是我自己的操作,跟STC數(shù)據(jù)手冊(cè)更不更新是沒有沒有關(guān)系的,設(shè)定好之后就不想動(dòng)了,也沒有必要?jiǎng)恿?br /> 看好外圍電路,掉電操作之前把電平固定,就不會(huì)有耗電的了
比如,IIC,掉電之前,SCL和SDA全部高電平,這不就得了?

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-4-1 22:52
外圍電路的問題：已嚴(yán)格審查；

ADC分壓電阻還耗電????你不會(huì)是直接就串聯(lián)兩個(gè)電阻來采樣吧?在電池供電中怎么可能用這種采樣方法呢?
答：鋰電池電壓ADC檢測(cè)，滿電是4.2V，超過MCU的VDD3.3V，必須串聯(lián)電阻降壓到VDD以下檢測(cè)，我用2個(gè)330KΩ以上電阻串聯(lián)，靜態(tài)電流＜6.4μA，電阻大些還可降低。

端口只要初始化一次是我自己的操作,跟STC數(shù)據(jù)手冊(cè)更不更新是沒有沒有關(guān)系的,設(shè)定好之后就不想動(dòng)了,也沒有必要?jiǎng)恿�；看好外圍電�?掉電操作之前把電平固定,就不會(huì)有耗電的了；
答：掉電操作之前把電平固定,就不會(huì)有耗電的了，這個(gè)確實(shí)對(duì)的！ADC、外接晶振等高阻模擬腳除外！

比如,IIC,掉電之前,SCL和SDA全部高電平,這不就得了?
答：對(duì)的！��！

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2022-4-1 23:14

ax6808 發(fā)表于 2022-4-1 22:52
外圍電路的問題：已嚴(yán)格審查；

ADC分壓電阻還耗電????你不會(huì)是直接就串聯(lián)兩個(gè)電阻來采樣吧?在電池供電中 ...

參考這個(gè)電路,要進(jìn)行電池電壓的ADC時(shí),把ADC_GND電平拉低
進(jìn)行ADC完了之后,把ADC_GND電平拉高
ADC這一塊就是基本不耗電了,而且,這個(gè)電路不會(huì)影響ADC的精度

作者: ax6808 時(shí)間: 2022-4-5 02:23

Y_G_G 發(fā)表于 2022-4-1 23:14
參考這個(gè)電路,要進(jìn)行電池電壓的ADC時(shí),把ADC_GND電平拉低
進(jìn)行ADC完了之后,把ADC_GND電平拉高
ADC這一塊 ...

感謝哥們回復(fù)�。�！
確實(shí)ADC外圍電路耗電還可優(yōu)化，只需多一個(gè)引腳資源，一路ADC就又可總體省下好多μA!!
對(duì)于極低功耗設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
前期主要研究驗(yàn)證MCU本身耗電問題去了！
再次感謝！再次感謝！

作者: 13034884521 時(shí)間: 2022-8-6 10:29
剛才測(cè)了一下，io默認(rèn)高阻進(jìn)掉電，15uA左右。然后io口全部設(shè)置準(zhǔn)雙向，進(jìn)入掉電模式，只有0.625uA

作者: coody_sz 時(shí)間: 2022-8-6 17:04
睡眠時(shí)IO不耗電的處理方法：

1、對(duì)于設(shè)置為準(zhǔn)雙向口、推挽輸出、開漏輸出低電平的IO，IO本身不耗電，輸出電平與外部電路配合成外部電路不耗電的方式。

2、設(shè)置為高阻或開漏輸出高的IO，以下兩種方式任選一種：
A、IO口接一個(gè)確定的高電平（電壓高于VDD-0.3）或低電平（電壓低于0.3V），否則耗電。
B、將IO口對(duì)應(yīng)的數(shù)字輸入功能關(guān)閉（對(duì)于STC8系列、STC32系列）。
   比如關(guān)閉P1.0、P1.1的數(shù)字輸入：
      P_SW2 |= 0x80; //允許操作擴(kuò)展寄存器
      P1IE = ~0x03;  //將P1.0 P1.1的數(shù)字輸入功能關(guān)閉

3、睡眠前，禁止ADC（如果已經(jīng)允許的話），禁止模擬比較器（如果已經(jīng)允許的話）。

作者: qizhixu 時(shí)間: 2024-8-29 09:07

ax6808 發(fā)表于 2022-3-26 18:47
最后實(shí)際3.3V時(shí)2μA左右就對(duì)了：掉電模式本身0.4μA,掉電喚醒定時(shí)器1.5μA,總共約2μA就對(duì)了�。�！
VDD為5 ...

作者: qizhixu 時(shí)間: 2024-8-29 09:16

Y_G_G 發(fā)表于 2022-3-31 16:14
還在整這個(gè)???
STC8G壓根就不需要設(shè)置PxIE,我從來不管這個(gè)寄存器
我一直在用這個(gè)單片機(jī),最小系統(tǒng)掉電模 ...

請(qǐng)問有沒有遇到過加了外部設(shè)備后電流變大的，我有NMOS關(guān)了外部設(shè)備電源0V

作者: coody_sz 時(shí)間: 2024-8-30 09:56
STC Mcu睡眠時(shí)IO不耗電的處理方法：

1、對(duì)于設(shè)置為準(zhǔn)雙向口、推挽輸出、開漏輸出低電平的IO，IO本身不耗電，輸出電平與外部電路配合成外部電路不耗電的方式即可。

2、設(shè)置為高阻或開漏輸出高電平的IO，如果懸空，則會(huì)因?yàn)檩斎霠顟B(tài)不確定導(dǎo)致有電流，以下兩種方式任選一種：
A、IO口接一個(gè)確定的高電平（電壓高于VDD-0.3）或低電平（電壓低于0.3V），否則耗電。
B、將IO口對(duì)應(yīng)的數(shù)字輸入功能關(guān)閉（對(duì)于STC8系列、STC32系列）。
   比如關(guān)閉P1.0、P1.1的數(shù)字輸入：
      P_SW2 |= 0x80; //允許操作擴(kuò)展寄存器
      P1IE = ~0x03;  //將P1.0 P1.1的數(shù)字輸入功能關(guān)閉

3、睡眠前，禁止ADC（如果已經(jīng)允許的話），禁止模擬比較器（如果已經(jīng)允許的話）。

4、在主程序進(jìn)入睡眠，睡眠后至少要加3個(gè)空操作（NOP）。
PCON |= 0x02;
_nop_();
_nop_();
_nop_();

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