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標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE [打印本頁]
作者: 強元芯電子    時間: 2023-2-18 11:01
標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE
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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE
型號：ASE4N65SE
品牌：ASEMI
封裝：TO-220F
最大漏源電流：4A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引腳數量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復時間：5ns
芯片材質：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結溫：-55℃~150℃
ASE4N65SE場效應管
ASE4N65SE的電性參數：最大漏源電流4A；漏源擊穿電壓650V
特征：
低固有電容。
出色的開關特性。
擴展安全操作區域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=4A
RDS（開）:2.5? （最大值）@VG=10V






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