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標(biāo)題: MOS管在光伏場(chǎng)現(xiàn)場(chǎng)總是燒毀,實(shí)驗(yàn)室則正常問(wèn)題出在那里? [打印本頁(yè)]

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 10:27
標(biāo)題: MOS管在光伏場(chǎng)現(xiàn)場(chǎng)總是燒毀,實(shí)驗(yàn)室則正常問(wèn)題出在那里?
實(shí)驗(yàn)室測(cè)試電流25A，MOS最高溫度在125度,在75度環(huán)境下測(cè)試，工作正常；但是到了光伏現(xiàn)場(chǎng)，電流在18A左右，外殼就鼓包了，肯定是MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，然后拆下來(lái)，發(fā)現(xiàn)MOS已經(jīng)燒掉了

MOS燒毀.jpg (223.15 KB, 下載次數(shù): 40)

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2024-7-6 11:18
D1二極管的存在,使兩個(gè)MOS管工作在放大區(qū),或者是叫恒流,未完全導(dǎo)通,怎么叫都行了
兩個(gè)MOS管的D極應(yīng)該是直接接地的
而且,這兩個(gè)MOS管在25A也好,18A也好,在這個(gè)工作電流下,幾乎是沒(méi)有發(fā)熱的,或者是只是溫溫的而已

作者: xiaobendan001 時(shí)間: 2024-7-6 12:25
會(huì)不會(huì)是驅(qū)動(dòng)電壓不夠

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 13:23
D1 是光伏板的旁路二極管，也省不了。D1二極管的存在,使兩個(gè)MOS管工作在放大區(qū),這個(gè)怎么理解？另外我這個(gè)是固定電平12V驅(qū)動(dòng)，按規(guī)格書來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)這個(gè)電流是沒(méi)啥問(wèn)題的，但是發(fā)熱量很大

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 13:36

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-6 13:23
D1 是光伏板的旁路二極管，也省不了。D1二極管的存在,使兩個(gè)MOS管工作在放大區(qū),這個(gè)怎么理解？另外我這個(gè)是 ...

這個(gè)地方是焊接MOS的地方，現(xiàn)在都鼓起來(lái)了

1.jpg (47.75 KB, 下載次數(shù): 41)

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 13:45
另外，哪種軟軟的散熱膠能推薦一款嗎

作者: LHWCCJ 時(shí)間: 2024-7-6 13:53
把那幾個(gè)端口接什么的說(shuō)明一下，什么負(fù)載，
你這個(gè)溫度打什么膠都沒(méi)用

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 14:08
主要功能是通過(guò)板上的MOS把光伏板串起來(lái)

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 14:13
另外，就上上面Y_G_G 所說(shuō)的，這個(gè)20A的電流對(duì)于這個(gè)ID是135A是很輕松的

C503059_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_NCEP039N10D_規(guī)格書_NCE(無(wú)錫新潔能)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)規(guī)格書.PDF

338.25 KB, 下載次數(shù): 14

作者: donglw 時(shí)間: 2024-7-6 14:35
解決問(wèn)題不需要捉迷藏，光伏在上個(gè)世紀(jì)后期開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，專利至少需要半個(gè)月時(shí)間才能讀完。
產(chǎn)品推向市場(chǎng)需要小規(guī)模生產(chǎn)和測(cè)試、中規(guī)模生產(chǎn)和測(cè)試、大規(guī)模生產(chǎn)和測(cè)試三個(gè)過(guò)程。經(jīng)過(guò)三個(gè)過(guò)程可以發(fā)現(xiàn)許多技術(shù)和生產(chǎn)隱患。例如：設(shè)計(jì)是否采用可制造的設(shè)計(jì)方案等。
現(xiàn)場(chǎng)的溫度、濕度等影響因素沒(méi)有告知，... ...

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 14:39

donglw 發(fā)表于 2024-7-6 14:35
解決問(wèn)題不需要捉迷藏，光伏在上個(gè)世紀(jì)后期開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，專利至少需要半個(gè)月時(shí)間才能讀完。
產(chǎn)品推向市 ...

環(huán)境溫度不超過(guò)40度，濕度50%，就是正常戶外屋頂

作者: coody_sz 時(shí)間: 2024-7-6 14:40
樓主沒(méi)用對(duì)，NCEP039N10D-TO263的典型通阻為3.5mR@VGS=10V，20A時(shí)發(fā)熱功率1.4W，做好散熱不應(yīng)該很熱。樓主驅(qū)動(dòng)有問(wèn)題，EG3001驅(qū)動(dòng)N-MOSFET，則EG3001的GND應(yīng)該與N-MOSFET的S極鏈接，而樓主的電路我看不出來(lái)正常的鏈接。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 14:54
圖上PV-實(shí)際就是GND，N-MOSFET的S極和地之間串了個(gè)電阻，用來(lái)測(cè)量電流

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-6 14:59
實(shí)際上是這樣的

1.jpg (239.25 KB, 下載次數(shù): 39)

作者: LHWCCJ 時(shí)間: 2024-7-6 16:25
樓主你的EG3001用錯(cuò)了，你自己看一下規(guī)格書里的電路

a6f6d4ac8a3a09ad9925397a4a4d386.png (54.39 KB, 下載次數(shù): 36)

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2024-7-6 18:12

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-6 14:13
另外，就上上面Y_G_G 所說(shuō)的，這個(gè)20A的電流對(duì)于這個(gè)ID是135A是很輕松的

這跟MOS的驅(qū)動(dòng)能力關(guān)系不大,或者是說(shuō),這跟電路關(guān)系很大,你二極管接在那個(gè)位置是恒流電路
你嘗試把二極管改成這種接法試一下,這是開(kāi)關(guān)電路

作者: donglw 時(shí)間: 2024-7-6 18:14

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-6 14:59
實(shí)際上是這樣的

你搭建的電路與說(shuō)明書不同，上傳EG3001數(shù)據(jù)手冊(cè)。

EG3001_帶SD功能單通道驅(qū)動(dòng)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)V1.0.pdf

1.02 MB, 下載次數(shù): 7

作者: fishafish 時(shí)間: 2024-7-6 20:55
2個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻100歐太大了，改成10歐試試

作者: coody_sz 時(shí)間: 2024-7-6 22:59

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-6 14:59
實(shí)際上是這樣的

這樣畫就正常了。按理，兩個(gè)并聯(lián)才18A電流，發(fā)熱功率不到0.6W，不會(huì)過(guò)熱的，你電路可能還有別的問(wèn)題，比如將兩個(gè)柵極蟬聯(lián)電阻改為10歐姆試試。

作者: ljfljfljf123 時(shí)間: 2024-7-7 18:33

LHWCCJ 發(fā)表于 2024-7-6 16:25
樓主你的EG3001用錯(cuò)了，你自己看一下規(guī)格書里的電路

他的驅(qū)動(dòng)電流1A，驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題

作者: ljfljfljf123 時(shí)間: 2024-7-7 18:36

Y_G_G 發(fā)表于 2024-7-6 18:12
這跟MOS的驅(qū)動(dòng)能力關(guān)系不大,或者是說(shuō),這跟電路關(guān)系很大,你二極管接在那個(gè)位置是恒流電路
你嘗試把二極管 ...

能詳細(xì)說(shuō)明下嗎，一下子理解不了

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2024-7-8 00:39

ljfljfljf123 發(fā)表于 2024-7-7 18:36
能詳細(xì)說(shuō)明下嗎，一下子理解不了

一時(shí)半會(huì)說(shuō)不完,百度一下"三極管恒流電路"
MOS管也可以當(dāng)成三極管來(lái)分析

作者: wufa1986 時(shí)間: 2024-7-8 08:16
被暴曬的話，光伏最高電壓，外殼溫度不止75度

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-8 09:00
嗯，拆開(kāi)發(fā)現(xiàn)MOS焊盤的錫都化了，把板子都燒黃了

作者: npn 時(shí)間: 2024-7-8 09:51

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-8 09:00
嗯，拆開(kāi)發(fā)現(xiàn)MOS焊盤的錫都化了，把板子都燒黃了

MOS管溫度高可能選型有問(wèn)題，你這電路適合用鋁基板或銅基板，用高熔點(diǎn)焊錫人工焊接，不要用回流焊錫膏。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-8 13:01

npn 發(fā)表于 2024-7-8 09:51
MOS管溫度高可能選型有問(wèn)題，你這電路適合用鋁基板或銅基板，用高熔點(diǎn)焊錫人工焊接，不要用回流焊錫膏。

這個(gè)都可以，關(guān)鍵事發(fā)熱量把外殼都烤變形了，到最后錫都融掉了，MOS的腳都翹起來(lái)了

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2024-7-8 14:01

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-6 14:59
實(shí)際上是這樣的

你這個(gè)電路一會(huì)這樣,一會(huì)那樣,我估計(jì)到現(xiàn)在都沒(méi)有人能看明白你的電路

作者: 起家 時(shí)間: 2024-7-8 14:03
示波器測(cè)波形

作者: 454746918 時(shí)間: 2024-7-8 14:19

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-8 13:01
這個(gè)都可以，關(guān)鍵事發(fā)熱量把外殼都烤變形了，到最后錫都融掉了，MOS的腳都翹起來(lái)了

為什么樓主把15樓的回復(fù)忽略了？不檢查一下是不是電路有問(wèn)題？

作者: 454746918 時(shí)間: 2024-7-8 15:11

ljfljfljf123 發(fā)表于 2024-7-7 18:33
他的驅(qū)動(dòng)電流1A，驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題

EG3001結(jié)構(gòu)框圖所示，6腳是OC或OD輸出，是用來(lái)控制關(guān)斷MOS的，你用來(lái)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)N MOS了

EG3001.jpg (44.35 KB, 下載次數(shù): 34)

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-8 16:11

454746918 發(fā)表于 2024-7-8 15:11
EG3001結(jié)構(gòu)框圖所示，6腳是OC或OD輸出，是用來(lái)控制關(guān)斷MOS的，你用來(lái)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)N MOS了

典型應(yīng)用圖就是這樣連接的啊

作者: 454746918 時(shí)間: 2024-7-8 16:24
不好意思，是我看錯(cuò)了，開(kāi)始沒(méi)注意那條線，哈哈

作者: ZSJM 時(shí)間: 2024-7-8 17:20
R1,10歐, 起保護(hù)作用吧, 當(dāng)EG3001內(nèi)部控制有問(wèn)題時(shí), 減少故障損失, 理論上平時(shí)不用也可以. 6,7腳直接連接.

實(shí)際上,MOS的導(dǎo)通電阻,實(shí)際是隨溫度而升高的. 所以實(shí)際功耗可能更高. 要做好散熱, 最好用TO220封裝.用鋁殼密封使用. 可能考慮用多個(gè)MOS管并聯(lián)使用.因?yàn)閱蝹€(gè)管子散熱面積是有限的, 多個(gè)并聯(lián)有利于散熱.因?yàn)閱蝹€(gè)管子與散熱器的接觸面積不如多個(gè)管子與散熱器的接觸面積,熱量更容易傳導(dǎo)出來(lái).
錫都融化, 可能有其它故障, 如12V供電出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題.EG3001驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題. 或出現(xiàn)過(guò)短路導(dǎo)致MOS電流遠(yuǎn)高于設(shè)定值.

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-9 08:15
現(xiàn)在是2個(gè)并連，其中一個(gè)特別熱，最后結(jié)果就是燒毀

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-9 08:25
都搞成這樣子了

df60eb9a3a0beb72ffc8567ee54abd6.png (702.97 KB, 下載次數(shù): 38)

作者: banguangan 時(shí)間: 2024-7-9 16:20
樓上的都和你給你找出原因了，按你的電路接法，接EG3001的outd的那一路mos管開(kāi)通沒(méi)問(wèn)題，關(guān)斷完全靠10k電阻放電，關(guān)斷時(shí)間太長(zhǎng)，肯定發(fā)熱，接outs那一路的mos根本就沒(méi)工作。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-9 16:58
不是吧，outd和outs是連在一起的，如果關(guān)斷的話，outs直接拉低的

作者: wufa1986 時(shí)間: 2024-7-9 17:01
說(shuō)了這么多感覺(jué)你還是沒(méi)明白，不懂就按照規(guī)格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅(qū)動(dòng)接法完全不對(duì)，更神奇的是居然通過(guò)測(cè)試產(chǎn)品上線了

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-10 08:58

wufa1986 發(fā)表于 2024-7-9 17:01
說(shuō)了這么多感覺(jué)你還是沒(méi)明白，不懂就按照規(guī)格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅(qū)動(dòng)接法完全不對(duì)，更神奇的是 ...

我不想打擊你，我這個(gè)MOS一般來(lái)說(shuō)不會(huì)關(guān)斷，這次出問(wèn)題，也是在開(kāi)啟狀態(tài)，所以你說(shuō)的關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)關(guān)不斷，也許可能存在，但不是現(xiàn)在這個(gè)問(wèn)題的原因

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-10 09:35

wufa1986 發(fā)表于 2024-7-9 17:01
說(shuō)了這么多感覺(jué)你還是沒(méi)明白，不懂就按照規(guī)格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅(qū)動(dòng)接法完全不對(duì)，更神奇的是 ...

outS是關(guān)斷引腳，從芯片的原理框圖可以看到關(guān)斷的時(shí)候outS直接拉低了，怎么會(huì)是關(guān)斷的時(shí)候是靠10K拉低

1.jpg (243.04 KB, 下載次數(shù): 39)

作者: lzts88 時(shí)間: 2024-7-10 10:22
都找不到本質(zhì), 實(shí)驗(yàn)室沒(méi)問(wèn)題, 應(yīng)該這電路在這電流就應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題了. 要從外部找原因, 外因就是, 過(guò)載了, 因?yàn)楣夥敵? 隨外部負(fù)載會(huì)變化的(如充電, 虧電和滿電的充電電流不一樣, 直接輸進(jìn)電網(wǎng), 高峰和谷底電流也不一樣), 知道原因, 再回看電路, 3毫歐電阻是過(guò)載檢測(cè)然后通過(guò)EG3001的SD關(guān)斷輸出的, 你把SD直接下地, 就認(rèn)為永不過(guò)載了. 把這部分電路恢復(fù)吧

作者: wufa1986 時(shí)間: 2024-7-10 11:12

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-10 09:35
outS是關(guān)斷引腳，從芯片的原理框圖可以看到關(guān)斷的時(shí)候outS直接拉低了，怎么會(huì)是關(guān)斷的時(shí)候是靠10K拉低

6 OUTS O 驅(qū)動(dòng)輸出吸入端,能吸入 1.2A 的灌電流輸出能力
7 OUTD O 驅(qū)動(dòng)輸出源出端,能源出 1A 的拉電流輸出能力
很明顯需要6和7搭配才能驅(qū)動(dòng)一個(gè)mos管，你怎么會(huì)設(shè)計(jì)成驅(qū)動(dòng)2個(gè)MOS管呢，你用示波器看看mos的G極波形是不是很差

作者: npn 時(shí)間: 2024-7-10 13:42

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-9 08:25
都搞成這樣子了

請(qǐng)問(wèn)這板子是你自己打的嗎?
MOS管換TO-220等直插大功率封裝，加鋁片散熱、導(dǎo)熱硅脂與風(fēng)扇，允許正常溫度范圍見(jiàn)數(shù)據(jù)手冊(cè)。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-10 14:21

npn 發(fā)表于 2024-7-10 13:42
請(qǐng)問(wèn)這板子是你自己打的嗎?
MOS管換TO-220等直插大功率封裝，加鋁片散熱、導(dǎo)熱硅脂與風(fēng)扇，允許正常溫度 ...

在實(shí)驗(yàn)室恒溫箱測(cè)試條件：通25A直流電流，環(huán)境溫度70度，8小時(shí)通電測(cè)試，實(shí)測(cè)MOS溫度123度，通斷都沒(méi)有問(wèn)題

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-10 14:25

lzts88 發(fā)表于 2024-7-10 10:22
都找不到本質(zhì), 實(shí)驗(yàn)室沒(méi)問(wèn)題, 應(yīng)該這電路在這電流就應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題了. 要從外部找原因, 外因就是, 過(guò)載了, 因?yàn)?...

我默認(rèn)不過(guò)載，實(shí)際運(yùn)行電流在15A左右，我測(cè)試25A；就像您說(shuō)的，光伏輸出不穩(wěn)定，網(wǎng)上查了下，說(shuō)是2個(gè)MOS在通不穩(wěn)定電流的時(shí)候會(huì)形成環(huán)流，導(dǎo)致嚴(yán)重發(fā)熱

作者: 土豆我是地瓜 時(shí)間: 2024-7-11 17:09
EG3001二腳的控制波形是什么樣的，是一個(gè)高電平，還是一定頻率的高低電平

作者: tt2016 時(shí)間: 2024-7-11 22:35
這兩個(gè)管子是并聯(lián)的，看樣子是走負(fù)載，不是做PWM開(kāi)關(guān)，EG3001二腳應(yīng)該是一個(gè)持續(xù)的高電平吧？但是你說(shuō)管子熱的錫都化了這點(diǎn)電流應(yīng)該不至于，你在工作的時(shí)候用萬(wàn)用表測(cè)試下這兩個(gè)管子的D，S之間的電壓，看看是多少毫伏，如果不是毫伏級(jí)別的電壓那就是管子沒(méi)導(dǎo)通，如果沒(méi)導(dǎo)通那確實(shí)會(huì)熱化的

作者: TTQ001 時(shí)間: 2024-7-12 07:54
是否在實(shí)驗(yàn)室做過(guò)環(huán)境測(cè)試？環(huán)境測(cè)試不僅應(yīng)包括高溫和高濕，還應(yīng)包括沖擊、振動(dòng)和機(jī)械項(xiàng)目。可以檢查現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境條件是否與實(shí)驗(yàn)室設(shè)置相當(dāng)。

作者: 2300606886 時(shí)間: 2024-7-13 11:59
mos管燒毀無(wú)非2種：1過(guò)壓瞬間擊穿，2過(guò)熱很快燒毀（過(guò)流/Vgs半導(dǎo)通）；分析：
1、過(guò)壓：繼電器連接線太長(zhǎng)，續(xù)流二極管應(yīng)該靠近繼電器，不然感應(yīng)電壓可能超限是有可能瞬間擊穿，燒開(kāi)路就是蹦出一個(gè)壞點(diǎn)損壞，擊穿短路管子就是燒毀燒糊狀態(tài)；
2.若Vgs偏小或震蕩不穩(wěn)定，導(dǎo)通電阻可能會(huì)急劇增大到2.56W/0.27A²≈35Ω時(shí)，發(fā)熱就會(huì)很嚴(yán)重弱散又熱欠佳時(shí)就有可能很快會(huì)燒毀；
3.自恢復(fù)保險(xiǎn)PPTC瞬間過(guò)流保護(hù)能力不足的！往往要好多倍工作電流且好幾秒才能保護(hù)，這里燒毀前起不到丁點(diǎn)作用的！
4.R15/R16值問(wèn)題：沒(méi)有問(wèn)題！驅(qū)動(dòng)Vgs或泄露足夠的了！
5.光耦U4問(wèn)題：
光耦驅(qū)動(dòng)電壓一般為1.2-1.4V,電流一般為5-20mA。而單片機(jī)引腳上電默認(rèn)為準(zhǔn)雙向口模式，灌電流可達(dá)20mA,但是拉電流只有幾百uA, 那么當(dāng)引腳輸出1時(shí)是不可能正常驅(qū)動(dòng)光耦的。應(yīng)該該光耦驅(qū)動(dòng)電路為低電平有效控制灌電流方式；
綜合判斷：光耦驅(qū)動(dòng)電路錯(cuò)誤造成MOS管Vgs未達(dá)到正常開(kāi)關(guān)狀態(tài)或繼電器連線太長(zhǎng)D19續(xù)流二極管位置不對(duì)等造成的感應(yīng)過(guò)壓或震蕩等等原因，造成MOS管擊穿或燒毀！

作者: chchking 時(shí)間: 2024-7-13 13:29
batter R??

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-13 14:42

tt2016 發(fā)表于 2024-7-11 22:35
這兩個(gè)管子是并聯(lián)的，看樣子是走負(fù)載，不是做PWM開(kāi)關(guān)，EG3001二腳應(yīng)該是一個(gè)持續(xù)的高電平吧？但是你說(shuō)管子 ...

不是做PWM開(kāi)關(guān)，MOS常開(kāi)，詭異的是總是燒同一個(gè)

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-13 16:29
看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺(jué)可能忽略了一個(gè)問(wèn)題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒(méi)有性能完全一致的兩個(gè)MOS管，除非是在一個(gè)晶圓上的，很明顯樓主這是外接的兩個(gè)同型號(hào)MOS管，而MOS管的輸出電流大概18A左右，所以這里就要求對(duì)每個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)電流至少要大于1A，而樓主的最大驅(qū)動(dòng)電流1A是分給兩個(gè)MOS管使用，這里不合理，導(dǎo)致開(kāi)通時(shí)間加長(zhǎng)，MOS管很有可能在開(kāi)通時(shí)就被損壞（米勒平臺(tái)干擾很厲害，可以測(cè)試Vgs波形），因?yàn)闃侵鬟@設(shè)計(jì)屬于高壓、大電流開(kāi)通，開(kāi)通瞬間MOS管上的di/dt是很大的，會(huì)瞬間損傷MOS管，兩個(gè)并聯(lián)損壞程度不同，如果布局不合理的話就會(huì)每次都損壞對(duì)應(yīng)位置的MOS，樓主可以關(guān)注一下大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-13 16:29
我是對(duì)樓主這個(gè)問(wèn)題挺有興趣的，因?yàn)樽罱诟鉓PPT電路，所以希望能繼續(xù)交流

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-13 16:53

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 16:29
看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺(jué)可能忽略了一個(gè)問(wèn)題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒(méi)有性能完全一致的兩個(gè)M ...

還有一種情況就是雖然檢流電阻上的電流在18A，MOS管有可能工作在了放大區(qū)，導(dǎo)致MOS管的Rdson就很大，此時(shí)MOS管上的功率就會(huì)很大，所以應(yīng)該確認(rèn)一下18A時(shí)，MOS管的VDS壓降是多少，判斷MOS管是不是工作在放大區(qū)，因?yàn)樵贛OS管的S端接檢流電阻，確實(shí)是類似N型三極管的恒流源接法，N型三極管的恒流源三極管是工作在放大區(qū)的

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-13 16:58

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 16:29
看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺(jué)可能忽略了一個(gè)問(wèn)題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒(méi)有性能完全一致的兩個(gè)M ...

燒毀的是遠(yuǎn)離輸出的那一個(gè)（相對(duì)另外一個(gè)），有可能MOS管很有可能在開(kāi)通時(shí)就被損壞，因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)的話沒(méi)人巡視，只知道壞了，然后拆開(kāi)來(lái)就是發(fā)現(xiàn)固定位置的那個(gè)MOS燒掉了

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-13 17:01
線路板上MOS的位置

1720861238407.png (14.27 KB, 下載次數(shù): 396)

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-13 22:47

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-13 16:58
燒毀的是遠(yuǎn)離輸出的那一個(gè)（相對(duì)另外一個(gè)），有可能MOS管很有可能在開(kāi)通時(shí)就被損壞，因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)的話沒(méi)人巡 ...

你可以在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試一下MOS管開(kāi)通時(shí)的Vgs，Vds波形，如果平臺(tái)震蕩很嚴(yán)重的話，說(shuō)明在開(kāi)通時(shí)候就已經(jīng)損傷了，如果你的輸入電壓很高的話，建議選擇慢開(kāi)通的MOS管，高壓的開(kāi)通很難做，了解到你不需要管斷MOS，其實(shí)大電流的關(guān)斷也難做，具體情況需要測(cè)試配合平臺(tái)震蕩與否去匹配

作者: ljfljfljf123 時(shí)間: 2024-7-14 17:46

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 22:47
你可栽謔笛槭也饈砸幌翸OS管開(kāi)通時(shí)的Vgs，Vds波形，如果平臺(tái)震蕩很嚴(yán)重的話，說(shuō)明在開(kāi)通時(shí)候就已經(jīng)損傷 ...

我再測(cè)試下，目前根據(jù)網(wǎng)友說(shuō)的意見(jiàn)，暫時(shí)先卸掉一個(gè)MOS管掛網(wǎng)運(yùn)行下，看看情況

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-15 08:43

ljfljfljf123 發(fā)表于 2024-7-14 17:46
我再測(cè)試下，目前根據(jù)網(wǎng)友說(shuō)的意見(jiàn)，暫時(shí)先卸掉一個(gè)MOS管掛網(wǎng)運(yùn)行下，看看情況

期待您的測(cè)試結(jié)果

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-15 09:14
大家看看還有什么原因可能導(dǎo)致這種情況的發(fā)生

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-7-15 09:27

邵123456 發(fā)表于 2024-7-15 08:43
期待您的測(cè)試結(jié)果

關(guān)于大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)這塊，您有資料可以推薦下嗎

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-7-15 13:33

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-15 09:27
關(guān)于大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)這塊，您有資料可以推薦下嗎

可以看看TI、英飛凌或者其他的都有關(guān)于這方面的

作者: 炸掉的電容 時(shí)間: 2024-7-15 16:35
樓主我看你圖片是貼了一個(gè)合金電阻按你說(shuō)的18*18*0.01>3W 這種合金電阻功率一般也就2w 3w的樣子看看是不是這里

作者: 藍(lán)藍(lán)小星星 時(shí)間: 2024-7-19 16:58
這么多人怎么沒(méi)一個(gè)懷疑買到假貨，mos假貨泛濫，同等品牌100a的mos，假貨只有1/2電流或更低，更差的是縮水到原有的1/5.

作者: hezezeze 時(shí)間: 2024-8-7 17:14
MOS管在光伏現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)燒毀的情況，而實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)則正常，這個(gè)問(wèn)題可能是由以下幾個(gè)因素引起的：

1. **環(huán)境溫度差異**：實(shí)驗(yàn)室的環(huán)境溫度通常比現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境要低。MOS管在更低的環(huán)境溫度下工作時(shí)，其熱應(yīng)力較小，不容易達(dá)到過(guò)熱的狀態(tài)。在光伏現(xiàn)場(chǎng)，由于外部環(huán)境（如太陽(yáng)輻射、空氣溫度）較高，MOS管在相同的電流下產(chǎn)生的熱量可能超出其在實(shí)驗(yàn)室條件下的預(yù)期，導(dǎo)致過(guò)熱。

2. **散熱條件差異**：在實(shí)驗(yàn)室，MOS管可能有良好的散熱條件，比如有效的散熱片、風(fēng)冷或水冷系統(tǒng)，能夠及時(shí)將熱量散發(fā)出去。但在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，散熱條件可能受限，比如部件周圍的溫度高，周圍介質(zhì)的熱阻大，或者沒(méi)有充分的散熱措施，導(dǎo)致熱量積累，引發(fā)過(guò)熱。

3. **電流分布差異**：在光伏系統(tǒng)中，電流的分布情況可能與實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)不同。光伏陣列在高負(fù)載時(shí)，電流可能會(huì)更加集中或分布不均，這可能會(huì)導(dǎo)致MOS管局部過(guò)熱。而實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)，電流分布可能較為均勻，熱應(yīng)力分布也更加合理。

4. **電壓波動(dòng)**：光伏系統(tǒng)的電壓可能會(huì)因?yàn)楣庹諒?qiáng)度、負(fù)載變化等外部因素而波動(dòng)。在極端條件下，電壓波動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致MOS管的工作條件不理想，進(jìn)一步增加其發(fā)熱。

5. **MOS管選型或參數(shù)不匹配**：實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)可能使用的是在更低熱應(yīng)力環(huán)境下的工作參數(shù)，而在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，MOS管需要承受更高的熱應(yīng)力。如果MOS管的選型或參數(shù)設(shè)計(jì)不充分考慮現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境的實(shí)際情況，可能會(huì)導(dǎo)致其在實(shí)際使用中過(guò)熱。

6. **封裝和安裝問(wèn)題**：現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，MOS管的封裝和安裝方式可能沒(méi)有實(shí)驗(yàn)室那么嚴(yán)格或有效。封裝材料的熱導(dǎo)性、散熱路徑的完整性都可能影響MOS管的散熱效果。

解決這個(gè)問(wèn)題，可以考慮以下措施：

- **優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)**：在MOS管周圍增加有效的散熱材料或加大散熱面積，確保足夠的熱交換。
- **使用更耐熱的MOS管**：選擇在高溫環(huán)境下具有更好熱性能的MOS管，或者使用更高效能的散熱解決方案。
- **監(jiān)測(cè)和控制環(huán)境溫度**：在可能的情況下，減少高溫的影響，比如通過(guò)遮陽(yáng)、優(yōu)化設(shè)備布局等方式減少外部熱源的影響。
- **優(yōu)化電流管理**：確保電流分布均勻，減少局部過(guò)熱的風(fēng)險(xiǎn)。
- **定期檢查和維護(hù)**：在使用過(guò)程中定期檢查MOS管的溫度和狀態(tài)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理過(guò)熱問(wèn)題。

通過(guò)綜合考慮以上因素，可以有效地減少M(fèi)OS管在光伏現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)的熱應(yīng)力，提高其使用壽命和可靠性。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-8-9 09:20

炸掉的電容發(fā)表于 2024-7-15 16:35
樓主我看你圖片是貼了一個(gè)合金電阻按你說(shuō)的18*18*0.01>3W 這種合金電阻功率一般也就2w 3w的樣子看看是 ...

不是這里

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-8-9 09:22

藍(lán)藍(lán)小星星發(fā)表于 2024-7-19 16:58
這么多人怎么沒(méi)一個(gè)懷疑買到假貨，mos假貨泛濫，同等品牌100a的mos，假貨只有1/2電流或更低，更差的是縮水 ...

同一批的MOS，用穩(wěn)壓電源測(cè)試，同樣的電流，沒(méi)有問(wèn)題，所以不存在假貨的說(shuō)法

作者: yaosongjin 時(shí)間: 2024-8-9 12:00
在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)MOS溫度這么高就說(shuō)明有問(wèn)題了吧

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-8-9 13:36

yaosongjin 發(fā)表于 2024-8-9 12:00
在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)MOS溫度這么高就說(shuō)明有問(wèn)題了吧

MOS溫度=環(huán)境溫度+自生發(fā)熱溫度，環(huán)境溫度70左右，MOS溫度測(cè)量是103度，那么發(fā)熱溫度大概就是30多度，應(yīng)該是正常的吧

作者: dyx811 時(shí)間: 2024-8-9 15:00
很明顯，驅(qū)動(dòng)電壓不夠啊。
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)器件。當(dāng)Vgs電壓不足以使其完全導(dǎo)通時(shí)，就成了放大電路了。
重點(diǎn)檢查Vgs驅(qū)動(dòng)電壓，看這電路，用一個(gè)萬(wàn)用表應(yīng)該就可以檢查出來(lái)。往往是10K下拉電阻的問(wèn)題。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-8-10 08:49
在實(shí)驗(yàn)室的時(shí)候測(cè)試過(guò)，GS端電壓11.7V，應(yīng)該是沒(méi)有的問(wèn)題的，但是到了現(xiàn)場(chǎng)，這個(gè)就有點(diǎn)不好說(shuō)了

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-8-10 08:52
看到其它方案上，在這個(gè)反接二極管上并了個(gè)電阻，這個(gè)起什么作用

321.jpg (243.33 KB, 下載次數(shù): 294)

作者: univers 時(shí)間: 2024-8-23 17:30
100%是過(guò)熱，爆掉的。過(guò)熱原因自己找。

作者: ljfljfljf321 時(shí)間: 2024-9-6 14:42
現(xiàn)在換了單MOS，還是會(huì)發(fā)生過(guò)熱燒毀的現(xiàn)象，電流只有15A左右,mos用的是NCEP039N10D

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