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標題: 低內阻高效率皮實耐抗NMOS管HC3400Y 30V5.8A場效應管高性價比 [打印本頁]

作者: 惠海小晴 時間: 2025-5-28 09:20
標題: 低內阻高效率皮實耐抗NMOS管HC3400Y 30V5.8A場效應管高性價比
HC3400Y 特點
♦羅恩（典型值）= 27mΩ @ VGS = 4.5V
♦低電阻
♦150°C 工作溫度
♦快速切換
♦無鉛，符合RoHS標準

HC3400Y 描述
HC3400Y由溝槽處理設計技術來實現極低的導通電阻�？焖偾袚Q速度和改進的傳輸有效的。這些功能結合在一起，使這個設計一種極其高效和可靠的設備，用于
各種DC-DC應用。

NO.1 20-250V MOSFET分享清單

一、低壓段（20V-30V-40V-60V）

典型規格：3400 、30N03 、50N03 、90N03 、120N03 、50N04 、120N04 、15N06 、30N06 、50N06 、70N06 、120N06 、3401 、5P03 、5P04 、15P04 、30P04 、50P04 、5P06 、20P06 、50P06

二、中壓段（100-200V）

典型規格：5N10、12N10、15N10、25N10、45N10、70N10、5N15、10N15、15N15、5P10、10P10、30P10、50P10、8P15、30P15
三、高壓段（200-250V）

典型規格：5N20 、10N20 、5N25 、20P20

NO.2 核心優勢：技術參數拉滿，性能碾壓級

【寬電壓覆蓋，一管多用】‌‌20-250V寬耐壓范圍‌，適配從低壓傳感器到高壓消費設備的多場景需求，無需頻繁更換器件，省心省成本！‌抗沖擊能力強‌，瞬態高壓耐受值高達300V，惡劣環境下依然穩如泰山。
‌【低內阻，高效能】‌‌內阻低至1mΩ‌（具體型號支持定制），導通損耗降低40%以上，大幅減少發熱，提升系統整體效率！‌支持持續大電流‌，滿足電機驅動、電源逆變等大功率需求。
‌【快速開關，高頻率】‌‌結電容＜1000pF‌，開關延遲時間縮短至納秒級，高頻電路中實現“零拖沓”，很好適配PWM調光、DC-DC轉換等場景。‌低Qg（柵極電荷）設計‌，驅動電路更簡單，功耗再降一檔！

NO.3應用領域：消費電子，多方面覆蓋

【新能源與電力電子】‌‌光伏逆變器‌：太陽能高轉換效率，耐壓抗浪涌，戶外環境無憂！PD快充‌：支持大電流快充，可保持低熱損耗。
‌【智能消費電子】‌‌LED驅動‌

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