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標題: STM32 boot[1:0]設(shè)置 [打印本頁]

作者: 51黑ren 時間: 2015-12-27 04:14
標題: STM32 boot[1:0]設(shè)置
STM32 boot[1:0]設(shè)置
　　(1)STM32上電時鎖存BOOT[1:0]，決定從何處啟動
　　
　　在RAM中調(diào)試時，已經(jīng)上電成功，BOOT的狀態(tài)已經(jīng)沒有作用。
　　
　　IDE軟件自動地把程序下載到RAM，并在RAM調(diào)試運行。
　　
　　(2)
　　
　　熱啟動時應(yīng)該有用，比如上電時是從flash中啟動，然后用戶程序把代碼寫到SRAM里，之后就可以改變BOOT腳的跳線，然后按下復(fù)位按鍵，程序就可以從SRAM中運行了.不過看起來不怎么實用。
　　(3)
　　
　　理論上說
　　
　　只是在復(fù)位后的第四個SYSCLK的上升沿鎖定BOOT引腳的值，從而決定代碼從哪里：Flash還是SRAM啟動。
　　
　　但是使用MDK時需要注意，項目使用的連接文件flah linker file還是ram linkerfile，要和BOOT搭配：就是說，如果配置在flash中調(diào)試運行代碼，則BOOT要配置成從Flash啟動；若果配置成在ram中調(diào)試運行代碼，則BOOT要配置成從SRAM啟動。
　　
　　使用IAR沒有這個限制哦。
　　
　　
　　
　　在STM32F10x里，可以通過BOOT[1:0]引腳選擇三種不同啟動模式。
　　表3 BOOT 模式選擇
　　啟動模式選擇管腳
　　BOOT0 BOOT1 啟動模式說明
　　0 X 用戶閃存存儲器用戶閃存存儲器被選為啟動區(qū)域
　　1 0 系統(tǒng)存儲器系統(tǒng)存儲器被選為啟動區(qū)域
　　1 1 內(nèi)嵌SRAM 內(nèi)嵌 SRAM被選為啟動區(qū)域
　　通過設(shè)置選擇管腳，對應(yīng)到各種啟動模式的不同物理地址將被映像到第0塊(啟動存儲區(qū))。在
　　系統(tǒng)復(fù)位后，SYSCLK的第4個上升沿，BOOT管腳的值將被鎖存。用戶可以通過設(shè)置BOOT1
　　和BOOT0引腳的狀態(tài)，來選擇在復(fù)位后的啟動模式。

...............................
在flash 或 RAM中調(diào)試時與BOOT[1:0]的狀態(tài)無關(guān)。
STM32三種啟動模式對應(yīng)的存儲介質(zhì)均是芯片內(nèi)置的，它們是：
1. 用戶閃存：芯片內(nèi)置的Flash。
2. SRAM：芯片內(nèi)置的RAM 區(qū)，就是內(nèi)存啦。
3.系統(tǒng)存儲器：芯片內(nèi)部一塊特定的區(qū)域，芯片出廠時在這個區(qū)域預(yù)置了一段Bootloader，就是通常說的ISP程序。這個區(qū)域的內(nèi)容在芯片出廠后沒有人能夠修改或擦除，即它是一個ROM區(qū)。
在每個STM32的芯片上都有兩個管腳BOOT0和BOOT1，這兩個管腳在芯片復(fù)位時的電平狀態(tài)決定了芯片復(fù)位后從哪個區(qū)域開始執(zhí)行程序，見下表：

BOOT1=x BOOT0=0 從用戶閃存啟動，這是正常的工作模式。
BOOT1=0 BOOT0=1 從系統(tǒng)存儲器啟動，這種模式啟動的程序功能由廠家設(shè)置。
BOOT1=1 BOOT0=1 從內(nèi)置SRAM 啟動，這種模式可以用于調(diào)試。

要注意的是，一般不使用內(nèi)置SRAM 啟動(BOOT1=1 BOOT0=1)，因為SRAM 掉電后數(shù)據(jù)就丟失。多數(shù)情況下SRAM只是在調(diào)試時使用，也可以做其他一些用途。如做故障的局部診斷，寫一段小程序加載到SRAM中診斷板上的其他電路，或用此方法讀寫板上的Flash 或EEPROM 等。還可以通過這種方法解除內(nèi)部Flash的讀寫保護，當然解除讀寫保護的同時Flash 的內(nèi)容也被自動清除，以防止惡意的軟件拷貝。

一般BOOT0 和BOOT1 跳線都跳到0（GND）。只是在ISP下載的情況下，BOOT0=1，BOOT1=0，下載完成后，把BOOT0 的跳線接回0，也即BOOT0=0，BOOT1=0 。

對于一般的應(yīng)用來說，直接把BOOT0 和BOOT1 引腳接地即可，不用設(shè)置跳線，使用IAR 調(diào)試程序時可以選擇RAM調(diào)試還是Flash 調(diào)試，與BOOT0 和BOOT1 的配置無關(guān)。

在使用DB9的CTS請求振鈴做ISP下載時，
如圖所示：

如果BOOT0沒有使用下拉電阻，則有可能在CTS為高電平的時候，BOOT0出現(xiàn)較高的壓降，從而導(dǎo)致引導(dǎo)模式編程SYSTEMMEMORY 了。

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