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標題: AVR開發(fā)前準備—熔絲位(Fuse)快速入門 [打印本頁]

作者: 51黑科技 時間: 2016-2-4 04:01
標題: AVR開發(fā)前準備—熔絲位(Fuse)快速入門

AVR通過熔絲來控制芯片內(nèi)部的一些功能，比如JTAG，時鐘的使用，掉電檢測電壓，是否允許調(diào)試等。
AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢：它是以功能組合讓用戶配置。這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的優(yōu)勢(優(yōu)勢是如此明顯，可以用“巨大優(yōu)勢”來形容)：

有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學(xué)者的惡夢)，筆者曾經(jīng)鎖死過三片Atmega16。
不需要靠記憶與查文檔，就能配置熔絲位(這也是初學(xué)者的惡夢)
動手之前：請你一定弄清楚了，你這樣改會有什么后果，除非你有很多錢不在乎多鎖死幾個芯片。備份你的熔絲位狀態(tài)，在點擊Program之前再次檢查熔絲位設(shè)置正確與否，不要誤點了某項而沒有注意到。

通過下圖的方法打開連接：

使用操作界面如下： (注意：下圖中，打勾的表示選中，代表0。沒有打勾的表示1)。

上圖的資料有很多相關(guān)項，你需要認識以下的代碼，以理解意思。英文翻譯說明如下：

英文	中文
On-Chip Debug Enabled	片內(nèi) 調(diào)試使能
JTAG Interface Enabled	JTAG 接口使能
Serial program downloading (SPI) enabled	串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時該位不能修改)
Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;	芯片擦除時EEPROM的內(nèi)容保留
Boot Flash section size=xxxx words	引導(dǎo)(Boot)區(qū)大小為xxx個詞
Boot start address=$yyyy;	引導(dǎo)(Boot)區(qū)開始地址為 $yyyy
Boot Reset vector Enabled	引導(dǎo)(Boot)、復(fù)位向量使能
Brown-out detection level at VCC=xxxx V;	掉電檢測的電平為 VCC=xxxx 伏
Brown-out detection enabled;	掉電檢測使能
Start-up time: xxx CK + yy ms	啟動時間 xxx 個時鐘周期 + yy 毫秒
Ext. Clock;	外部時鐘
Int. RC Osc.	內(nèi)部 RC(阻容) 振蕩器
Ext. RC Osc.	外部 RC(阻容) 振蕩器
Ext. Low-Freq. Crystal;	外部低頻晶體
Ext. Crystal/Resonator Low Freq	外部晶體/陶瓷振蕩器低頻
Ext. Crystal/Resonator Medium Freq	外部晶體/陶瓷振蕩器中頻
Ext. Crystal/Resonator High Freq	外部晶體/陶瓷振蕩器高頻

注：以上中文是對照 ATmega16的中、英文版本數(shù)據(jù)手冊而翻譯。盡量按照了官方的中文術(shù)語。
應(yīng)用舉例：
比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振)，可以選擇選擇下面三者之一：

Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
[CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

如圖：內(nèi)部1M晶振，默認情況典型設(shè)置。（兩個圖分別為上下兩部分，沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。）

下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振，1 Mhz RC

比如我們想使用外部7.3728M晶振，可以選擇選擇下面三者之一：

Ext. Crystal/Resonator High Freq.;
Start-up time: 258 CK + 4 ms;
[CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關(guān)的選擇。

如下兩圖：7.3728M晶振典型融絲位（及本站的開發(fā)板使用時候的典型設(shè)置）

如果你在使用過程中遇到什么問題，歡迎討論

后記：說說Mega128的熔絲位
ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片，設(shè)計的時候兼容M103模式，但是這個M103模式經(jīng)常害人。基于此，說說ATmega128的熔絲位，順便說說其他的功能。

默認情況下M103模式是選中的，應(yīng)該將其去掉；晶振是內(nèi)部1M晶振，如果你使用外部晶振，應(yīng)該進行修改。M128可以開啟硬件的看門狗，選中此項，看門狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。

默認熔絲第一部分
M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader區(qū)大小4096，未使能BOOT。

默認熔絲第二部分
DOD為2.7V，內(nèi)部1M晶振。

下面是本站使用M128開發(fā)板的典型設(shè)置，M103模式取消，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。
典型熔絲第一部分（只說修改部分）
去掉了M103，從而使用M128模式。

典型熔絲第二部分

選擇最后一項，即使用外部高頻晶振。

作者: 進擊的生菜 時間: 2017-7-28 14:57
樓主厲害了我用的AVR STIDUO 4.0 跟你這個不太一樣有的都沒有

作者: guoyun00 時間: 2019-3-15 16:45
文章寫得好。但本人才疏學(xué)淺，看了半天仍是不明白，到底如何才能正常設(shè)置熔絲？

作者: 51單片機1234 時間: 2019-3-17 11:45
寫的非常好，可是還是有些看不懂

作者: DDA 時間: 2020-2-10 12:27
有在研究這個但是還是有點不懂

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