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標題: 理解功率MOSFET的開關過程 [打印本頁]

作者: 小融1號    時間: 2016-12-1 17:43
標題: 理解功率MOSFET的開關過程
  本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載電流。可變電阻區功率MOSFET漏極減小到額定的值。
  MOSFET的柵極電荷特性與開關過程
  盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用,但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解MOSFET開關過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。一般來說,電子工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開通的過程,如圖1所示。此圖在MOSFET數據表中可以查到。

  圖1 AOT460柵極電荷特性
  MOSFET的D和S極加電壓為VDD,當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時,輸入電容Ciss充電,G和S極電壓Vgs線性上升并到達門檻電壓VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A,沒有漏極電流流過,Vds的電壓保持VDD不變。
  當Vgs到達VGS(th)時,漏極開始流過電流Id,然后Vgs繼續上升,Id也逐漸上升,Vds仍然保持VDD。當Vgs到達米勒平臺電壓VGS(pl)時,Id也上升到負載電流最大值ID,Vds的電壓開始從VDD下降。
  米勒平臺期間,Id電流維持ID,Vds電壓不斷降低。
  米勒平臺結束時刻,Id電流仍然維持ID,Vds電壓降低到一個較低的值。米勒平臺結束后,Id電流仍然維持ID,Vds電壓繼續降低,但此時降低的斜率很小,因此降低的幅度也很小,最后穩定在Vds=Id×Rds(on)。因此通常可以認為米勒平臺結束后MOSFET基本上已經導通。
  對于上述的過程,理解難點在于為什么在米勒平臺區,Vgs的電壓恒定?驅動電路仍然對柵極提供驅動電流,仍然對柵極電容充電,為什么柵極的電壓不上升?而且柵極電荷特性對于形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀。因此,下面將基于漏極導通特性理解MOSFET開通過程。
  MOSFET的漏極導通特性與開關過程
  MOSFET的漏極導通特性如圖2所示。MOSFET與三極管一樣,當MOSFET應用于放大電路時,通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數,而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導。

  圖2 AOT460的漏極導通特性
  三極管有三個工作區:截止區、放大區和飽和區,MOSFET對應是關斷區、恒流區和可變電阻區。注意:MOSFET恒流區有時也稱飽和區或放大區。當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時,Vgs的電壓逐漸升高時,MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示。

  圖3 AOT460的開通軌跡
  開通前,MOSFET起始工作點位于圖3的右下角A點,AOT460的VDD電壓為48V,Vgs的電壓逐漸升高,Id電流為0,Vgs的電壓達到VGS(th),Id電流從0開始逐漸增大。
  A-B就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(pl)的過程。從A到B點的過程中,可以非常直觀的發現,此過程工作于MOSFET的恒流區,也就是Vgs電壓和Id電流平衡找平衡的過程,即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應的變化,其變化關系就是MOSFET的跨導: ,跨導可以在MOSFET數據表中查到。
  當Id電流達到負載的最大允許電流ID時,此時對應的柵級電壓 。由于此時Id電流恒定,因此柵極Vgs電壓也恒定不變,見圖3中的B-C,此時MOSFET處于相對穩定的恒流區,工作于放大器的狀態。
  開通前,Vgd的電壓為Vgs-Vds,為負壓,進入米勒平臺,Vgd的負電壓絕對值不斷下降,過0后轉為正電壓。驅動電路的電流絕大部分流過CGD,以掃除米勒電容的電荷,因此柵極的電壓基本維持不變。Vds電壓降低到很低的值后,米勒電容的電荷基本上被掃除,即圖3中的C點,于是,柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高,如圖3中的C-D,使MOSFET進一步完全導通。
  C-D為可變電阻區,相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓。Vgs電壓達到最大值,Vds電壓達到最小值,由于Id電流為ID恒定,因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積。
  結論
  基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時,跨越關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。米勒平臺即為恒流區,MOSFET工作于放大狀態,Id電流為Vgs電壓和跨導乘積。




作者: dtdzlujian    時間: 2017-9-14 07:03
講的不錯。




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