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標題: MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計（共10頁） [打印本頁]

作者: milktang 時間: 2017-7-30 22:49
標題: MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計（共10頁）
MICROCHIP關(guān)于MOS管驅(qū)動的應(yīng)用筆記，對MOS管驅(qū)動電路設(shè)計有參考意義

簡介
當(dāng)今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET驅(qū)動器與MOSFET進行匹配進行一般說明，實際上顯得頗為困難，甚至不可能。與任何設(shè)計決策一樣，在為您設(shè)計中的 MOSFET 選擇合適的 MOSFET 驅(qū)動器時，需要考慮幾個變量。需要考慮的參數(shù)至少需要包括輸入至輸出的傳輸時延、靜態(tài)電流、抗閉鎖和電流驅(qū)動能力。驅(qū)動器的功率消耗也影響著封裝的決定和驅(qū)動器的選擇。
本應(yīng)用筆記將詳細討論與 MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的 MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET所需的導(dǎo)通和截止時間將MOSFET驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力與 MOSFET柵極電荷相匹配。
Microchip 提供許多不同種類的MOSFET驅(qū)動器，它們采用不同的封裝，因此可以使設(shè)計者為應(yīng)用中的 MOS-FET 選擇最合適的MOSFET 驅(qū)動器。
MOSFET驅(qū)動器的功耗對 MOSFET 的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力并不影響由MOS-FET 柵極的容性負載產(chǎn)生的驅(qū)動器功耗。
MOSFET 驅(qū)動器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。

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