MRAM在讀寫方面可以實現(xiàn)高速化，這一點與靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯誤之害。