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MRAM工作原理分析

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英尚微電子

發布時間: 2020-11-30 15:09

正文摘要:

目前主流的MRAM利用巨磁阻效應( GMR）和磁性隧道結(MTJ)）的隧穿電阻效應來進行存儲。以MTJ為例,其元胞結構包括自由層、隧道層和固定層3個層面（如圖1所示)。自由層的磁場極化方向是可以改變的,而固定層的磁場方向是 ...

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