nearsea 發(fā)表于 2024-3-25 11:29
貼在板子上是CSIG，datasheet上典型整片擦除時間是60S，其他型號和其他廠家也都測試過，都沒有這個問 ...

這個NorFlash芯片明顯是打磨后重新絲印的，建議換成原裝芯片試一下

nearsea 發(fā)表于 2024-4-1 09:36
結(jié)帖，測試過了

原來整片內(nèi)容是0xff的時候，擦除時間大致是6-10秒；

我懷疑這個芯片有個指令可以讀一個扇區(qū)的檢驗和。它擦除時候，芯片會讀取每個扇區(qū)的校驗和，如果全是FF的檢驗和，就不擦除。這樣省時間

結(jié)帖，測試過了

原來整片內(nèi)容是0xff的時候，擦除時間大致是6-10秒；
全片寫滿了內(nèi)容，擦除時間60-70秒。

也就是說，GD的FLASH片內(nèi)有微代碼類似的極致判斷是否需要擦除的量。

nearsea 發(fā)表于 2024-3-25 11:33
最左面的最小值是空白

沒有寫就是不確定
有的芯片性能可能比實際的好，但也有不行的時候，這個時候，生產(chǎn)為了保險起見，會給出一些個最差的參數(shù)進行對比

Y_G_G 發(fā)表于 2024-3-25 09:20
首先,你得保證你代碼是對的
它左邊原本是應(yīng)該有個最小值的
芯片數(shù)據(jù)手冊一般給的是一個范圍值,可以給你提 ...

最左面的最小值是空白

明日之星8 發(fā)表于 2024-3-24 21:58
芯片手冊上的數(shù)據(jù)是芯片開始設(shè)計時的值，隨著時間的推移，
生產(chǎn)工藝在不斷改進，因此很多的參數(shù)也在不斷的 ...

很多人反應(yīng)GD的東西奇怪，可能設(shè)計的時候有些小聰明吧，以前用過他的CM0好像就是后面的程序FLASH很慢，有人挖出內(nèi)部使用了類似25Q存儲需要的時候調(diào)度到RAM里面運行，調(diào)度過程占用了時間。
其實創(chuàng)新是沒有問題的，但創(chuàng)新的東西需要顯式的寫在DATASHEET里面。

zhuls 發(fā)表于 2024-3-24 15:33
如果你擦除動作有讀忙標，并用忙標來確定是否擦除完成，一般來說是不會出錯的。

是的，讀取的是寄存器完成標志。

首先,你得保證你代碼是對的
它左邊原本是應(yīng)該有個最小值的
芯片數(shù)據(jù)手冊一般給的是一個范圍值,可以給你提供程序或者電路的設(shè)計依據(jù)
設(shè)計時,應(yīng)該考慮的是最壞的情況,也就是說,有可能會有擦除時間達200S的情況

芯片手冊上的數(shù)據(jù)是芯片開始設(shè)計時的值，隨著時間的推移，
生產(chǎn)工藝在不斷改進，因此很多的參數(shù)也在不斷的優(yōu)化，但是
手冊上的數(shù)值卻不一定會同時更改。

你的GD25Q128的尾綴是E嗎？？？不同尾綴表示不同性能。

如果你擦除動作有讀忙標，并用忙標來確定是否擦除完成，一般來說是不會出錯的。