VBE的電壓在BJT導通后便固定，R2的電壓被VBE鉗位到0.7V，這是晶體管非線性的結果。除此之外，其他例如基極電流的運算等仍遵循歐姆定律。

歐姆定律一樣適合三極管電路, 在放大區為了簡化計算量, Ic=βIb, 計算得到的結果不影響精度.

這里適用低內阻鉗位高內阻，三極管導通后Vbe電壓鉗位R2電壓

由于晶體管內置晶體管的EB間與電阻R2并聯，所以R2也同樣外加了0.7V電壓。從而可知，R2上有IR2= 0.7V/10KΩ=70μA的電流通過。 當輸入電壓Vin為3.3V時，因為內置晶體管的EB 間電位差是0.7V，所以電阻R1兩端的電壓是 3.3V-0.7V = 2.6V 。從而可知，R1上有IR1= 2.6V/4.7KΩ = 553.2uA的電流通過。從而可知，內置晶體管的基極有553.2μA-70μA= 483.2μA的電流通過。這樣就可以計算出流過內置晶體管的基極電流。由于三極管正向電壓受溫度影響，當溫度為25℃時，VBE正向電壓約為0.7V。溫度變化時，溫度每上升1℃該正向電壓便減小約2.2mV。例如，50℃時約為0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，溫度降低到-40℃時約為0.7V+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
對于晶體管，內置電阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考慮并計算電阻值為最不利的情況。
。

歐姆定律適用于任何串并聯電路。樓主所舉的例子照樣實用，只不過實例中的R2處應當看做是和發射極的并聯，被晶體管發射極限制電壓為0.7V，對于R2來說，他的電流僅僅0.07mA
而這里VIN電流=(3.3-0.7)V÷4.7KΩ≈0.55mA，流經發射極的電流達到了0.48mA。這是歐姆定律不沖突的。
R2用于抗干擾和增加關閉可靠性。如果系統中這樣子的電路都能達到0.7V的干擾電壓，那就不是省成本那么簡單的事了，有時候穩定可靠才是關鍵。

另外，電路圖中R3的取值過大！

歐姆定律和基爾霍夫定律是分析晶體管直流偏置的基礎，交流電路也是基于歐姆定律和基爾霍夫定律的。

一種簡單的求解飽和點電流的方法是，假設集電極和發射極電路，則Vce=0，Ic=Vcc/R3
這種“假設短路”方法可以用于任何基極偏置電路。集電極電流的最大值等于集電極電源電壓除以集電極電阻。這就是歐姆定律在集電極電阻上的應用。
基極電流的計算如下：
      Vbb=R2*Vin/(R1+R2)=10K*3.3/(10K+4.7K)=2.24V
      Ib=(Vbb-Vbe)/R1=(2.24-0.7)/4..7K=0.33mA
這也是歐姆定律

不是很清楚，里面也有u/r=i，也適用吧

你想說個啥，往深了說半導體中的計算就是非線性的，本就不適用歐姆定律，我們為了簡化計算才把它認為是線性的