donglw 發表于 2024-9-29 00:40
同單片機學習一樣，按照廠家提供的數據手冊中提供的經典案例做一款同樣的電路，使用示波器觀察其波形。

見過網上發布的那些反激電路，不論QR與否，絕大多數都是不配備Rs的，boost電路如果不拿它做APFC，也是多數不加Rs，
而讓我感興趣的，正正就是Rs在反激或boost拓撲中的潛在影響，在Cᴅs被清空的過程中，會透過Rs把源極下拉，從而令Tr提早開通，甚至引發類似正反饋的效應 (如果給Rs並聯一個比Cᴅs大三數倍的電容，沒準真的會自激起來)。

同單片機學習一樣，按照廠家提供的數據手冊中提供的經典案例做一款同樣的電路，使用示波器觀察其波形。

想要在直流環境中震蕩，電感(或變壓器)只能以DCM模式使用，
電感，是軟開關的核心部件，你不DCM的話，無功何以往復運動，Cᴅs何以清空呢對不？ ！
這「谷底」，到底是什么回事呢，原來是管子開通的「時機」，Vᴅ愈小，管子的開通損耗當然也就愈小，
如果是硬開關，管子剛一關斷，Vᴅ就飈升至Vʙᴜs甚至更高 (別忘了電感的那個「水錘」效應啊)，而開通時Vᴅ就只能是Vʙᴜs了，
軟開關，合格的軟開關，不是ZVS就是ZCS，ZVS比較直觀，好理解，因為，Vᴅ是直接被外力鉗制的，清清楚楚，成功的ZVS，能使Vᴅ跌至零，
而QR跟ZVS，實際上是一路貨色，只是，「谷底」不著地，這ZVS就失敗了，Tr剛關斷時，電感貯能最多，「谷底」自然最低 (別忘了，這是衰減震蕩)，所以，Tr若于第一谷開通，管耗(開通損耗)最小，
這是開關電源，不是震蕩器，諧振槽路的Q值不會 (也不宜) 太高，所以，這衰減震蕩也不會 (亦不應) 太久，能做到ZVS的只有第一谷，愈往后就漸漸變回硬開關了。

這電路的開關管(Tr)是MOSFET，
跟Tr并聯的電容(Cᴅs)，既可以是實體元件，也可代表Tr的寄生電容，
源極電阻(Rs)，既是Tr的限流元件，也是執行電流模式所需的檢流元件。