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發(fā)布時(shí)間: 2025-1-11 16:20
正文摘要:這種MOS封裝電流可以做到很大,但是封裝還不夠小.有沒有耐壓60V,封裝夠小的,越小越好(封裝小,內(nèi)阻低,結(jié)溫高,熱阻小,結(jié)電容小、Id大,vth小的)有沒有推薦 |
大電流,小體積,到了一定的極限要求就像魚和熊掌不可兼得了。建議從設(shè)計(jì)方案一開始就要考慮PCB面積,器件體積和性能指標(biāo)的匹配度。 |
持續(xù)30A, 你最好要用散熱器(鋁/銅). 你選的這種封裝,不容易加散熱器. 你可以用多片并聯(lián)的方式, 用5個(gè)并聯(lián),每個(gè)就才1W左右的功耗. 你也可以選擇,容易加散熱的封裝如TO-220 TO-247 如: TO-247 不加散執(zhí)器 大約 40度/W 加散熱 0.5度/W 多個(gè)MOS并聯(lián), 主要原因是二個(gè)方面,一個(gè)是解決散熱問題(溫度升高, 導(dǎo)通電阻增大),另一個(gè)才是電流原因. |
PMOS的工藝決定了導(dǎo)通能力比NMOS弱,特別是高壓PMOS的內(nèi)阻更差 |
QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-14 20:33 要看你的實(shí)際應(yīng)用。考慮使用環(huán)境、散熱情況和器件自身,算出散熱面積,或者采用最直接的方法,直接試,用點(diǎn)溫計(jì)測(cè)量溫升。溫升+最高環(huán)境溫度不能超過結(jié)溫。如果超過了,就想辦法散熱或換器件 |
liuzanshui 發(fā)表于 2025-1-14 08:48 你好 那怎么選呢 告訴一下方法 |
封裝越小,散熱越差,大電流還是用TO-220之類的封裝,加散熱器。 |
這個(gè)MOS在VGS=-10V, ID=-15A時(shí),導(dǎo)通電阻5.5mΩ,夠小了。30A電流,消耗功率4.95W。這種封裝,熱阻約50℃/W,也就是說,溫升約250W,肯定不行。如果VGS=-4.5V, ID=-10A,導(dǎo)通電阻最大到11.3mΩ,那么溫升可達(dá)到500多度。。。換成更小的體積,溫升只會(huì)更高。器件不是這么選的 |
藍(lán)藍(lán)小星星 發(fā)表于 2025-1-12 19:36 持續(xù)電流30A |
你需要多大的電流?體積大可以裝載更大的晶圓,如果使用小管子,只能多個(gè)管子并聯(lián)。 |
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