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發(fā)布時(shí)間: 2017-2-28 14:56
正文摘要:前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過程，也討論過開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)過程中的開關(guān)損耗。開關(guān) ... |
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