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如何測試貼片電容的功能?

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ID:286174 發表于 2018-3-5 15:31 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
  如今電子產品越來越小,越來越薄,就拿手機來說,從90年代初的大哥大,到如今的iphone4,這中間進步的不只是設計者,更多的是手機里的電子元件,從最初的電池一樣大的插件電容到現在小的看不到的貼片電容.

  首先是貼片電容的四個慣例電功能,即容量Cap. 損耗DF,絕緣電阻IR和耐電壓DBV,通常的,X7R貼片電容的損耗值DF<=2.5%,越小越好,IR*Cap>500歐*法,BDV>2.5Ur.


  其次是貼片電容的加快壽數功能,在125deg.c環境溫度和2.5Ur直流負載條件下,芯片應本領100小時不擊穿,質量好的可耐1000小時不擊穿。


  再次是貼片電容的耐熱沖擊功能,將貼片電容浸入錫爐10秒,多做幾粒,顯微鏡下調查能否有外表裂紋,然后可測驗容量損耗并與熱沖擊前比照分辨芯片能否內部裂紋。


貼片電容在電路上出現問題,有可能是貼片電容自身質量不良,亦有可能是設計時選擇標準欠佳或是在外表貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容造成一定的損傷等因素造成。
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