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FNB3210 The FNB3210 is a single Phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs. The integrated bootstrap diode reduces external component count. With a wide operating voltage range, high or low side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal adaptive nonoverlap circuit further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs. The UVLO circuits prevent malfunction when VCC is lower than the specified threshold voltage. Wireless Charger for 5W to 20W Systems Half or full bridge driver for N+N MOSFET
馬達驅動電路 DW7888
概述 DW7888 是一款 DC 雙向馬達驅動電路，它適用于玩具等類的電機驅動、自動閥門電機驅動、電磁門鎖驅動 等。它有兩個邏輯輸入端子用來控制電機前進、后退及制動。該電路具有良好的抗干擾性，微小的待機電流、 低的輸出內阻，同時，它還具有內置二極管能釋放感性負載的反向沖擊電流。
特性 ●微小的待機電流 (小于 2uA)； ●工作電壓范圍寬：2.0V~9.6V； ●有剎車功能； ●有過熱保護功能； ●有過流嵌流及短路保護功能；
典型應用 ●玩具類的電機驅動; ●自動閥門電機驅動; ●電磁門鎖驅動。
MX2113
特性
BOST 二極管擊穿電壓 50V — 可安全應用于 36V 供電系統中 高峰值電流輸出能力 — 峰值輸出電流 1.7A — 帶 2.2nF 負載上升時間 58ns — 峰值吸入電流 2.3A — 帶 2.2nF 負載下降時間 19.7ns 內部集成 50V 耐壓自舉二極管 — 無需外接自舉二極管 輸入引腳內置下拉電阻 — 集成 110K 對地下拉電阻 — 輸入信號兼容 3.3V/5V CMOS 輸入 多種防共態導通技術 — 對輸入信號進行邏輯運算，使能信號為高 時，HO/LO 輸出電平相反，避免出現 HO、 LO 同時輸出高電平 — 內部設置 38ns 死區時間 — 檢測 HO、 LO 口狀態，反饋給邏輯電路，避 免出現 HO、LO 同時輸出高電平
說明
MX2113 是為使用雙 N 溝道 VDMOS 功率管的橋式 電路設計的功率管柵極驅動 IC，可應用于直流有 刷、直流無刷電機以及類似感性負載的驅動電路 中。 芯片的輸入信號 IN 和使能信號 EN 控制高邊驅動電 路輸出(HO)和低邊驅動電路輸出(LO)。芯片設計了 驅動輸出信號(HO、LO) 狀態檢測電路，將輸出信號 的狀態反饋到內部邏輯，可有效避免出現高邊、低 邊功率管同時導通的情況。此外，內部還設計有約 38ns死區時間，功率管開關速度小于 100ns 的應用 中，單片機輸出信號可以不考慮死區時間設置。 芯片內部沒有設計欠壓鎖定電路，可自行通過單片 機靈活設置電壓保護點
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