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(1)電路結(jié)構(gòu)與特點(diǎn) 雙向超溫報(bào)警器電路如圖49所示。它可實(shí)現(xiàn)雙向超溫聲光報(bào)警、顯示和超溫點(diǎn)預(yù)置， 以適應(yīng)不同的溫度報(bào)警。固中，溫度傳感器Rt是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻，其阻值隨溫 度變化而變化。電位器R1和R2分別預(yù)置上限和下限的溫度點(diǎn)。當(dāng)在允許的溫度范圍內(nèi) 時(shí)，電位器R1的中點(diǎn)電位處于邏輯低電平，經(jīng)A反相后，輸出高電平，晶體管v1截止， 發(fā)光二極管v2不亮。電位器R2的中點(diǎn)電位處于邏輯高電平，經(jīng)B反相后，輸出低電子． 晶體管V4截止，發(fā)光二級(jí)管v3不亮。這時(shí)二極管V5將反相器C的輸入端箔位于低電 乎。C、D和R6、C1所構(gòu)成的多諧振蕩電路，其振蕩周期為T(mén)＝2．3R6×c1＝1s(R6＝2 M61、c1＝o．22yF)，即振蕩頻率為l Hz左右，因V5將C的輸入端密位于低電平，因而該 多諧振電路處于停振狀態(tài)。同理，由反相器E、F和R7、c2所構(gòu)成的約1000H5的振蕩器， 由于v6將z的輸入端箔位在D的低電平輸出，也處于停振狀態(tài)，則壓電峰鳴器Y不 發(fā)聲。 若溫度上升，當(dāng)超過(guò)允許范圍的上限溫控點(diǎn)時(shí)，由于熱敏電阻Rt具有負(fù)值溫度系數(shù) 特性，因此其阻值減小，使R1的中點(diǎn)電位上升為高電平，A翻轉(zhuǎn)，輸出低電平，v1導(dǎo)通， v2點(diǎn)亮，有電流通過(guò)電阻R5，使R5上有較大的壓降，v5截止，C、D組成的約l Hs振蕩 器起振，振蕩信號(hào)從D輸出加到V6上。當(dāng)信號(hào)為正半周(高電平)時(shí)，v6截止，由E、F組 成的1000 H2振蕩器起振，蜂鳴器Y發(fā)出1000H2音響。當(dāng)信號(hào)為負(fù)半局(低電平)時(shí)，V6 導(dǎo)通，1000 Hz振蕩器停振，這時(shí)，Y發(fā)出斷續(xù)的報(bào)警聲，進(jìn)行溫度超上限聲光報(bào)警。如果 溫度不是上升，而是下降，則當(dāng)溫度低于下限點(diǎn)時(shí)，陽(yáng)的中點(diǎn)電位變成低電平，B翻轉(zhuǎn)， 輸出高電平，V4導(dǎo)通，V3點(diǎn)亮，嬸鳴器Y發(fā)聲，進(jìn)行溫度超下限聲光報(bào)警。 (2)元器件選捍 在圖49中，Rt的選擇應(yīng)根據(jù)溫度范圍的要求，采用阻值為3．3ko的負(fù)溫度系數(shù)熱敏 電阻；(A—F)非門(mén)電路選CD4069CMOS集成電路；Vl選用S9012PNP型三極管，P＞ 100；V2、V3選用普通十3mm發(fā)光二極管；V5、V6選用1N4148硅二極管；R1、R2選用 10k0精密電位器；R3、R4選用10 k只，R5選用3300，R6選用2M0，R7選用56kO．均 為助—1／4w金屑膜電阻器；cl選用o．22yF，c2選用o．olPF，均為獨(dú)石電容器；c3選 用100yF／16v，電解電容器；C4選用o．047PF瓷介電容器；直流電源采用9v干電池 供電。 (3)電路組裝與調(diào)試 按圖49所示的電路結(jié)構(gòu)與元器件尺寸，設(shè)計(jì)印制電路板，并裝焊好元器件。調(diào)試時(shí)， 先將Rt放到高溫處，調(diào)節(jié)R1使其在超溫狀態(tài)下，v2發(fā)光，并有嬸鳴聲。然后將Rt放到 低溫處，調(diào)節(jié)R2使其在超溫狀態(tài)下，v3發(fā)光，并有嬸鳴聲。當(dāng)在上限或下限超溫時(shí)，如 發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的發(fā)光管不亮(嬸嗚器不響)，可用萬(wàn)用表測(cè)非門(mén)A或B的輸出是否為商電平。若 為高電乎，則查后級(jí)的二級(jí)振蕩器是否起振；若為低電平，則查Rt的阻值是否偏大。 | 
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