25Q64引腳圖與電路原理圖及PDF中文資料下載 8M閃存芯片

ID:408979 · 發(fā)表于 2018-10-13 12:56

25Q64是64Mbit閃存芯片可以寫入8M程序
該存儲(chǔ)器分為：
8,388,608字節(jié)
統(tǒng)一部門架構(gòu)
64千字節(jié)128塊
4 KB2048個(gè)扇區(qū)
32768頁（每頁256字節(jié)）
每一頁都可以單獨(dú)編程（位從1編程為0）.該設(shè)備部門阻止或芯片擦除而不是頁面可擦除.

25Q64引腳圖：

25Q64管腳功能定義：

25Q64電路原理圖：

概述
該EN25Q64是一個(gè)64兆位（8192K字節(jié)）串行閃存,具有先進(jìn)寫防護(hù)護(hù)機(jī)制.所述EN25Q64支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI）,和一個(gè)高性能雙輸出和四I / O使用SPI接口：串行時(shí)鐘,片選,串行DQDQ1(DO), DQ 2（WP＃）和DQ 3（NC）.高達(dá)50MHz SPI時(shí)鐘頻率被支持,允許為100MHz時(shí)使用等效時(shí)鐘速率雙輸出和200MHz為四路輸出
雙核/四輸出快速閱讀說明.該內(nèi)存可以被編程為1〜256個(gè)字節(jié)時(shí)間,使用頁面編程指令.
該EN25Q64被設(shè)計(jì)為允許任何單扇區(qū)/塊在同一時(shí)間或整片擦除操作.該EN25Q64可以被配置為防護(hù)護(hù)存儲(chǔ)器作為軟件防護(hù)護(hù)模式一部分.裝置能夠維持最低100K編程/擦除每一個(gè)扇區(qū)周期或塊

信號(hào)描述
串行數(shù)據(jù)輸入串行數(shù)據(jù)輸入,輸出和輸出和IO（（DI,DO和和DQ 0, DQ1, DQ2, DQ3)
該EN25Q64支持標(biāo)準(zhǔn)SPI,雙SPI和四SPI操作.標(biāo)準(zhǔn)SPI指令使用單向DI（輸入）引腳串行寫指令,地址或數(shù)據(jù)設(shè)備上串行時(shí)鐘（CLK）輸入引腳上升沿.標(biāo)準(zhǔn)SPI還使用單向DO（輸出）,以從在下降沿CLK設(shè)備讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài).
雙重和四SPI指令使用雙向IO管腳以串行寫指令,地址或數(shù)據(jù)到裝置在CLK上升沿和從設(shè)備中讀取在CLK下降沿?cái)?shù)據(jù)或狀態(tài).
串行時(shí)鐘（串行時(shí)鐘（CLK））
SPI串行時(shí)鐘輸入（CLK）引腳提供串行輸入和輸出操作時(shí)機(jī). （"看到SPI模式"）片選（片選（CS＃）＃）
SPI片選（CS＃）引腳可啟用和禁用設(shè)備操作.當(dāng)CS＃為高器件
取消和串行數(shù)據(jù)輸出（DO,還是DQ 0, DQ 1, DQ 2 和DQ 3）引腳為高阻抗.
取消選中時(shí),器件功耗會(huì)在待機(jī)狀態(tài)下水平,除非內(nèi)部擦除,編程和狀態(tài)寄存器周期正在進(jìn)行中
.當(dāng)CS＃被拉低該裝置將被選擇,功率消耗將增加至活性水平與指示可以寫入和從所述設(shè)備讀取數(shù)據(jù).上電后,CS＃必須從高過渡到低之前,新指令將被接受.
寫防護(hù)護(hù)（寫防護(hù)護(hù)（WP＃）＃）
寫防護(hù)護(hù)（WP＃）引腳可用于防止?fàn)顟B(tài)寄存器被寫入.用于與狀態(tài)一起注冊(cè)塊防護(hù)護(hù)（BP0,BP1,BP2和BP3）位和狀態(tài)寄存器防護(hù)護(hù)（SRP）位,部分或整個(gè)存儲(chǔ)器陣列可以是硬件防護(hù)護(hù).該WP＃功能僅適用于標(biāo)準(zhǔn)SPI和雙SPI操作,當(dāng)在四路SPI,該引腳為串行數(shù)據(jù)IO（DQ 2）為四I / O操作.

特征
  單電源工作
- 全電壓范圍：2.7-3.6伏
  串行接口架構(gòu)
- SPI兼容：模式0和模式3
  64 M位串行閃存
- 64 M位/ 8192 K-字節(jié)/ 32768頁
- 每可編程頁256字節(jié)
標(biāo)準(zhǔn),雙核或四SPI
標(biāo)準(zhǔn)SPI：CLK,CS＃,DI,DO,WP＃
雙SPI：CLK,CS＃,DQ 0, DQ 1, WP#
四路SPI：CLK,CS＃,DQ 0, DQ1, DQ2, DQ3
高性能
104MHz時(shí)鐘速率為一個(gè)數(shù)據(jù)位
50MHz時(shí)鐘速率為兩個(gè)數(shù)據(jù)位
50MHz時(shí)鐘速率為四個(gè)數(shù)據(jù)位
  低功耗
- 19 mA典型工作電流
- 1  A 典型掉電電流
統(tǒng)一部門架構(gòu)：
4 KB2048個(gè)扇區(qū)
64千字節(jié)128塊
任何扇區(qū)或塊可以單獨(dú)被刪除
  軟件和硬件寫防護(hù)護(hù)：
- 通過寫防護(hù)護(hù)所有或存儲(chǔ)器部分
軟件
- 啟用/禁用防護(hù)護(hù)與WP＃引腳
高性能編程/擦除速度
頁編程時(shí)間：1.3ms典型
扇區(qū)擦除時(shí)間：90ms典型
塊擦除時(shí)間為500ms典型
芯片擦除時(shí)間：30秒典型
  寫暫停和寫簡(jiǎn)歷
  可鎖定512字節(jié)OTP安全部門
  最低100K耐久性周期
封裝選項(xiàng)
8引腳SOP 200mil體寬
8接觸VDFN（5x6mm）
8接觸VDFN（6x8mm）
16引腳SOP 300MIL體寬
所有無鉛封裝符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

完整的pdf格式25Q64中文資料文檔51黑下載地址：

EN25Q64中文資料(Eon-Silicon)中文數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf (248.17 KB, 下載次數(shù): 364)