N溝MOS管與P溝MOS管的區(qū)別，助工程師更好選擇MOS管！

ID:456641 · 發(fā)表于 2019-1-24 17:53

區(qū)別一：導(dǎo)通特性

N溝MOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。

區(qū)別二：MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是N溝MOS還是P溝MOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。而選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗，且現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，也有幾毫歐。除此之外，MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的，這是有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流也有一個(gè)上升的過(guò)程。

在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大，所以縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。

區(qū)別三：MOS管使用

P溝MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝MOS管。此外，P溝MOS管閾值電壓的絕對(duì)值偏高，要求有較高的工作電壓。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在N溝MOS管出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS管所取代。只是，因P溝MOS管工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。