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空穴遷移率低的P溝道MOS管

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MOS管分P溝道和N溝道兩種。因為NMOS管導通電阻小,容易制造,多數人都是使用NMOS管。但并非所有的工廠都會選擇NMOS管,比如一些中小型的數字控制電路至今仍然采用PMOS管技術。所以PMOS管與NMOS管相比也不會毫無優勢。



P溝道MOS管的空穴遷移率低,因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS管的跨導小于N溝道MOS管。此外,P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高,懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的使用范疇有了一定的限制。



PMOS管因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS管電路呈現之后,多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS管電路工藝簡單,價錢低廉,有些中范圍和小范圍數字控制電路仍采用PMOS管電路技術。PMOS管的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適宜用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。



但是,固然PMOS管可以很便當地用作高端驅動,但由于導通電阻大,交流種類少等緣由,在高端驅動中,通常還是運用NMOS管。正常工作時,P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連,而漏心極的電壓Vds應為負值,以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏,同時為了在襯底頂表面左近構成導電溝道,柵極對源極的電壓Vgs也應為負。

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