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乘法器內(nèi)置THD優(yōu)化電路，以減小過零點失真，降低THD值（這是L6561所不具備的）；
極低啟動電流（典型值：30uA；保證60uA以下），可降低芯片功耗；
內(nèi)部參考電壓于25℃時誤差率在1﹪以內(nèi)；
除能（Disable）功能，當誤差放大器輸入低于0.2V，系統(tǒng)將關閉，降低損耗；
精確可調(diào)的外部過電壓保護；
內(nèi)部啟動及零電流偵測(ZCD)功能；
在電流檢測輸入端內(nèi)置領先的數(shù)字RC濾波器，過零頻率附近的高頻區(qū)域仍然可以工作，
因此降低了總的諧振失真度 ；
800mA的圖騰級輸出，可用于直接驅(qū)動Power MOSFET。
L6562A主要特點有：
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基于L6562A的APFC設計.pdf
2020-4-12 20:18 上傳
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