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隨著MCU單片機(jī)主頻越來越高，處理能力越來越強(qiáng)大，需要的RAM資源相應(yīng)增加，單片上SRAM采用6T結(jié)構(gòu)，成本相對較高，且不容易做得太大。由于MCU管腳數(shù)量的限制，不提供外部RAM擴(kuò)展接口，無法使用并行SRAM或者SDRAM來實(shí)現(xiàn)ram擴(kuò)展。有些IO口較多的MCU有專用的接口如FSMC來連接SDRAM或并行psram，但會占用過多的管腳資源和PCB面積。
面向IoT領(lǐng)域的IPUS SQPI PSRAM 。主要采用DRAM 1T1C的架構(gòu)做memory cell，相比靜態(tài)SRAM，單位面積的硅片可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲容量，內(nèi)置刷新控制電路使得芯片的接口、協(xié)議等同于普通的SPI SRAM，其接口類似于SPI NOR Flash，MCU單片機(jī)可以通過SPI或Quad SPI接口，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速存取。
主要規(guī)格是容量16/32/64Mb，支持SPI/Quad SPI接口，最高時鐘133MHz，1.8V或者3.3V供電。該器件相比市場上的SPI 接口SRAM，具有容量大、速度高、價格更低的優(yōu)勢。只要MCU具有SPI或者Quad SPI接口，就可以輕松實(shí)現(xiàn)RAM的擴(kuò)展。
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