有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-25 09:20

有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？

ID:879348 · 發(fā)表于 2021-1-25 10:48

從電路看這個(gè)并不能快速關(guān)斷VGS，R22太大了

ID:824490 · 發(fā)表于 2021-1-25 10:54

Nmos管要快速關(guān)斷，就要把G極接低，越低越快，能負(fù)壓最好

ID:294296 · 發(fā)表于 2021-1-25 11:07

MOS在G極的驅(qū)動(dòng)電阻上并個(gè)快恢復(fù)二極管就可以快速關(guān)斷了，IGBT就要用負(fù)壓關(guān)斷

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-25 16:30

名字不是重點(diǎn) 發(fā)表于 2021-1-25 10:54
Nmos管要快速關(guān)斷，就要把G極接低，越低越快，能負(fù)壓最好

如何實(shí)現(xiàn) 具體說(shuō)說(shuō)

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-25 16:30

wufa1986 發(fā)表于 2021-1-25 10:48
從電路看這個(gè)并不能快速關(guān)斷VGS，R22太大了

和R22有啥關(guān)系分析下？這個(gè)不是基極的電阻啊

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-25 16:31

鐘志偉發(fā)表于 2021-1-25 11:07
MOS在G極的驅(qū)動(dòng)電阻上并個(gè)快恢復(fù)二極管就可以快速關(guān)斷了，IGBT就要用負(fù)壓關(guān)斷

他這個(gè)是串聯(lián) 所以我也沒(méi)看懂。。。。。。

ID:282850 · 發(fā)表于 2021-1-26 00:50

電路圖不全，應(yīng)該是R19快速拉低Vgs關(guān)斷

ID:373388 · 發(fā)表于 2021-1-26 08:50

怎么看就像是個(gè)上電開(kāi)關(guān)電路，可能是防反接的上電開(kāi)關(guān)電路，上一個(gè)快速關(guān)斷電路供參：

ID:420836 · 發(fā)表于 2021-1-26 09:36

當(dāng)為Q1的發(fā)射極提供電源電壓時(shí)，PNP Q1始終導(dǎo)通。 NMOS Q2的柵極電壓比源極高15V，因此Q2導(dǎo)通。當(dāng)Q1的發(fā)射極被拉低時(shí)，Q1截止，Q2的柵極被拉至低電平，因此Q2截止。 R22用于快速釋放柵極-源極電荷。

ID:373388 · 發(fā)表于 2021-1-26 10:20

我怎么覺(jué)得R22就像NPN二極管，基極和發(fā)射極直接接電阻一樣的功能，防止誤觸發(fā)。

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-26 14:08

f556 發(fā)表于 2021-1-26 00:50
電路圖不全，應(yīng)該是R19快速拉低Vgs關(guān)斷

R2左邊是IO驅(qū)動(dòng)信號(hào)

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-26 14:09

xhaity 發(fā)表于 2021-1-26 08:50
怎么看就像是個(gè)上電開(kāi)關(guān)電路，可能是防反接的上電開(kāi)關(guān)電路，上一個(gè)快速關(guān)斷電路供參：

是怎么實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷的？

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-26 14:16

TTQ001 發(fā)表于 2021-1-26 09:36
當(dāng)為Q1的發(fā)射極提供電源電壓時(shí)，PNP Q1始終導(dǎo)通。 NMOS Q2的柵極電壓比源極高15V，因此Q2導(dǎo)通。當(dāng)Q1的發(fā)射 ...

CO是單片機(jī)出來(lái)的 CO高電平的時(shí)候 Q2導(dǎo)通既然Q1始終導(dǎo)通那Q1的意義是？還是說(shuō)CO為高的時(shí)候Q1才導(dǎo)通？這是一個(gè)加速關(guān)MOS的電路，沒(méi)體現(xiàn)快在哪里啊

ID:692132 · 發(fā)表于 2021-1-26 14:31

這個(gè)電路從R2來(lái)的信號(hào)只能使Q2導(dǎo)通，截止的信號(hào)可能是從R19來(lái)的，電路不全。

ID:879809 · 發(fā)表于 2021-1-26 16:38

Q1D1全都畫(huà)錯(cuò)了，這圖明顯是抄板抄出來(lái)的，還抄錯(cuò)了。

ID:373388 · 發(fā)表于 2021-1-27 08:48

R6 5.1M就沒(méi)多大用了，5.1K差不多，Q1三極管當(dāng)作二極管用，比二極管壓降低，電路不全，腦補(bǔ)其它部分，就是電池的充放電管理的開(kāi)關(guān)電路，不牽扯nmos快速關(guān)斷電路。

ID:420836 · 發(fā)表于 2021-1-27 09:30

表示當(dāng)信號(hào)CO為高時(shí)，晶體管Q1始終導(dǎo)通，當(dāng)CO接地時(shí)，Q1截止，Q2，Q5也截止，然后電阻R19和R20通過(guò)R22快速釋放Q2和Q5的柵極電荷。

ID:692132 · 發(fā)表于 2021-1-27 10:58

QWE4562012 發(fā)表于 2021-1-26 14:16
CO是單片機(jī)出來(lái)的 CO高電平的時(shí)候 Q2導(dǎo)通既然Q1始終導(dǎo)通那Q1的意義是？還是說(shuō)CO為高的時(shí)候Q1才 ...

懷疑這個(gè)電路有問(wèn)題，穩(wěn)壓管Z2用到了15V，說(shuō)明這里需要接近15V的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可能兩只功率管是IGBT，而單片機(jī)輸出太低，三極管是用來(lái)對(duì)信號(hào)進(jìn)行電壓放大的。

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-27 17:39

rundstedt 發(fā)表于 2021-1-26 16:38
Q1D1全都畫(huà)錯(cuò)了，這圖明顯是抄板抄出來(lái)的，還抄錯(cuò)了。

不是的是FAE提供的源文檔是AD 用PADS導(dǎo)進(jìn)來(lái)的

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-27 17:40

xhaity 發(fā)表于 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就沒(méi)多大用了，5.1K差不多，Q1三極管當(dāng)作二極管用，比二極管壓降低，電路不全，腦補(bǔ)其它部分，就是 ...

恩我感覺(jué)你有水平！煩請(qǐng)告知下Q1和D1有何用意

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-1-31 09:46

xhaity 發(fā)表于 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就沒(méi)多大用了，5.1K差不多，Q1三極管當(dāng)作二極管用，比二極管壓降低，電路不全，腦補(bǔ)其它部分，就是 ...

這是CW提供的完整的電路

ID:692132 · 發(fā)表于 2021-1-31 15:26

QWE4562012 發(fā)表于 2021-1-31 09:46
這是CW提供的完整的電路

這次的圖應(yīng)該是正確的了，這就是通常說(shuō)11串鋰電池保護(hù)板電路圖，沒(méi)有單片機(jī)。CO是充電保護(hù)端，DO是放電保護(hù)端，平時(shí)都是高電壓（比通常說(shuō)的5V高電平還高得多），保護(hù)時(shí)為零。Q3和R22就是起快速關(guān)斷作用的。而那個(gè)D1是在產(chǎn)生充電保護(hù)后起防止電流倒灌作用的。

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-2-1 10:50

學(xué)習(xí)單片機(jī)lq 發(fā)表于 2021-1-31 15:26
這次的圖應(yīng)該是正確的了，這就是通常說(shuō)11串鋰電池保護(hù)板電路圖，沒(méi)有單片機(jī)。CO是充電保護(hù)端，DO是放電保 ...

D1是怎么防止倒灌的？我感覺(jué)你是做BMS的

ID:668004 · 發(fā)表于 2021-2-1 10:51

學(xué)習(xí)單片機(jī)lq 發(fā)表于 2021-1-31 15:26
這次的圖應(yīng)該是正確的了，這就是通常說(shuō)11串鋰電池保護(hù)板電路圖，沒(méi)有單片機(jī)。CO是充電保護(hù)端，DO是放電保 ...

Q3和R22是如何快速關(guān)斷的呢

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有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？

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