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MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基MBR60100PT
型號：MBR60100PT
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
電性參數60A 100V
正向電流：60A
反向耐壓：100V
引腳數量：3
芯片個數：2
芯片尺寸：150MIL
封裝尺寸：如圖
特性：大電流、肖特基
浪涌電流：500A
工作溫度：-65~+175℃
肖特基原理：
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
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ASEMI全系列封裝圖
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