MOS管的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計算

ID:668004 · 發(fā)表于 2023-6-3 09:54

根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個方法對不對？

有沒有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20mΩ，VGS≤10V，導(dǎo)通速度≤20ns，也就是≥50M，封裝TO252，需要數(shù)量10pcs，研發(fā)驗(yàn)證階段。預(yù)計用量10K/月。

選擇更高要求的MOS是為了滿足信號傳輸?shù)囊蟮耐瑫r提高效率，降低溫升

ID:123289 · 發(fā)表于 2023-6-5 13:51

對，不全對，還與驅(qū)動方式有關(guān)。

ID:491577 · 發(fā)表于 2023-6-7 21:55

這么大功率，想要1.7M開關(guān)頻率很難？MOS管標(biāo)注的是極限時間，實(shí)際是達(dá)不到這個速度的，普通MOS驅(qū)動芯片是500K，大部分MOS（電流>5A）實(shí)際開關(guān)頻率<200k，1.7M建議用三極管。

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-6-7 23:10

MOSFET標(biāo)這些參數(shù)很少見啊！一般只標(biāo)柵極電容和電荷，只要你有能力克服柵極電容，那么MOSFET想做到多高的頻率就能做到多高，沒有上限。BJT就不行了，有存儲效應(yīng)，從飽和狀態(tài)恢復(fù)回來非常慢，幾乎不能用于高速開關(guān)的場合。

ID:491577 · 發(fā)表于 2023-6-9 10:59

Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-7 23:10
MOSFET標(biāo)這些參數(shù)很少見啊！一般只標(biāo)柵極電容和電荷，只要你有能力克服柵極電容，那么MOSFET想做到多高的頻 ...

除了電容，還有電阻......還有電壓的限制，所以頻率是有上限的。除了考慮開，還要考慮關(guān)，電壓越大開就越快，但關(guān)就越慢，樓主說：“根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度”，嚴(yán)格來說也對，但是開關(guān)的時間屬于無用時間，開和關(guān)之間維持的時間才是有用時間。小功率情況下無用時間需要小于10%，大功率情況下無用時間需要小于2%，就按樓主選的MOS關(guān)來說：MOS開關(guān)20ns，驅(qū)動芯片開關(guān)延時需要50ns，驅(qū)動的方波開關(guān)延時20ns，一共是90ns（這個是極限時間，很難做到），用實(shí)例來參考一下：大于100W的開關(guān)電源MOS開關(guān)頻率大部分在100K左右。樓主需要的功率是大于100W的，1.7M頻率是正常頻率的17倍，難度是非常大的。

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-6-9 11:37

hhh402 發(fā)表于 2023-6-9 10:59
除了電容，還有電阻......還有電壓的限制，所云德適怯猩舷薜摹３絲悸強(qiáng)掛悸槍兀繆乖醬罌馱� ...

大于100W這有啥難得？我還見過1MHz MOSFET X光機(jī)10kW電源呢，只是連續(xù)工作時間不超過10s。十多個MOSFET并聯(lián)。

ID:382454 · 發(fā)表于 2023-6-13 09:28

導(dǎo)通時柵極電容充電，這與你的驅(qū)動極設(shè)計有很大關(guān)系。

ID:1059013 · 發(fā)表于 2024-7-29 10:01

不全對，必須再加上柵極電容才對

ID:466250 · 發(fā)表于 2024-7-29 21:14

不管是mos還是三極管想要1M以上的頻率需要技巧，否則發(fā)熱嚴(yán)重，不僅僅是驅(qū)動那么簡單。

ID:277239 · 發(fā)表于 2024-7-30 08:39

頂一個。說得很有道理

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MOS管的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計算