Nor Flash和Nand Flash的區(qū)別

ID:56760 · 發(fā)表于 2013-11-10 14:40

1．Nor和Nand Flash的區(qū)別

Nor的特點(diǎn)是XIP（eXecute In Place，芯片內(nèi)執(zhí)行）特性，這樣，應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。Nor的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。Nand結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。

（1）性能比較。

Flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。Nand器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而Nor則要求在進(jìn)行寫(xiě)入前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。

— Nor的讀速度比Nand稍快一些。

— Nand的寫(xiě)入速度比Nor快很多。Nand的4ms擦除速度遠(yuǎn)比Nor的5s快。

— Nand的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

（2）容量和成本。

Nand Flash的單元尺寸幾乎是Nor器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，Nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。在Nand閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而Nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。

（3）接口差別。

Nor Flash帶有SRAM接口，Nand器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行存取數(shù)據(jù)。

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