請教mos開通時(shí)g級電流一般多大

ID:100982 · 發(fā)表于 2023-10-1 10:45

12v的mos管，一般開通的時(shí)候g級電流有多大？

ID:227393 · 發(fā)表于 2023-10-1 13:33

可以說沒有電流

ID:491577 · 發(fā)表于 2023-10-1 14:19

MOS管g級相當(dāng)于通過一個(gè)電阻給電容充電，初始電流有可能很大幾十mA到幾A都可能，但是時(shí)間很短一般小于1uS，完全導(dǎo)通后電流為0。比如電壓10v，電阻100Ω，初始電流=10v/100=0.1A，導(dǎo)通時(shí)g級電壓約2.5v，電流=7.5v/100=0.075A，如果是大電流MOS管，電壓15v，電阻10Ω，導(dǎo)通時(shí)g級電壓約2.5v，電流=12.5v/
10=1.25A。

ID:213173 · 發(fā)表于 2023-10-1 14:43

MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，G級電流極小，幾乎為0。只有用作高速開關(guān)電路時(shí)才考慮結(jié)電容的存在需要較大的瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流。

ID:1034262 · 發(fā)表于 2023-10-1 15:58

那要看具體的充電參數(shù)，比如10V柵壓50nC的，柵壓0V上升到10V的時(shí)間對應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流，10us-->5mA，1us-->50mA，0.1us-->500mA。

ID:490458 · 發(fā)表于 2023-10-1 16:00

看手冊啊，不同功率的不一樣，大功率的還要小功率的推動(dòng)呢。

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-10-1 16:31

MOSFET的G極靜態(tài)電流是0，只有動(dòng)態(tài)，也就是說G極電壓變化的時(shí)候，必須考慮G極電容，才有電流。

ID:1059013 · 發(fā)表于 2023-10-1 16:34

一瞬間100ma-1A左右

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-10-1 19:49

MOS管是電壓控制元件，理論上不需要G極電流或者G極電流可以忽略。但動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)時(shí)因?yàn)镚S結(jié)電容的存在需要對結(jié)電容充電電流，當(dāng)結(jié)電容充電到MOS管開啟電壓后MOS管導(dǎo)通。所以，MOS管需要的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)際上是給結(jié)電容充電電流。靜態(tài)驅(qū)動(dòng)基本上不需要電流

ID:420836 · 發(fā)表于 2023-10-2 00:30

MOSFET柵極是靠電壓工作的，而不是電流工作的，幾乎沒有電流流過MOSFET的柵極。

ID:1094028 · 發(fā)表于 2023-10-2 13:26

MOSFET需要驅(qū)動(dòng)，開通瞬間需要一個(gè)大的沖擊電流，特別是高頻率驅(qū)動(dòng)時(shí)，大的驅(qū)動(dòng)電流可以減少M(fèi)OS管的損耗，留意一下CISS這個(gè)輸入電容的參數(shù)，越大需要的驅(qū)動(dòng)電流越大。C是隔直的，樓上幾位都說了。MOS和IGBT都有專門的驅(qū)動(dòng)芯片，就可以理解這個(gè)問題了，驅(qū)動(dòng)芯片的輸出都是幾百毫安到A級的。如果不是PWM驅(qū)動(dòng)，只是開關(guān)，那隨便了。驅(qū)動(dòng)幾個(gè)毫安也是可以的。

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-10-3 09:24

在不給定MOS管驅(qū)動(dòng)脈沖頻率的前提下談MOS管的G極電流是沒有意義的！高頻脈沖需要很大的驅(qū)動(dòng)電流，一般需要使用功率驅(qū)動(dòng)芯片或者三極管提供幾安培甚至十多安培驅(qū)動(dòng)電流。低頻或者靜態(tài)條件下需要的驅(qū)動(dòng)電流很�。�

ID:1083996 · 發(fā)表于 2023-10-3 11:37

MOS屬于電場控制器件，若是直流偏置的話，是無電流的，
但由于GS GD之間有個(gè)結(jié)電容，高頻交流時(shí)候會(huì)在這個(gè)結(jié)電容上有一個(gè)電流；

ID:1089601 · 發(fā)表于 2023-10-3 18:15

除去大家說的，還有一個(gè)因素得考慮，就是為了泄放掉柵極的電壓（因?yàn)榻Y(jié)電容的原因）一般柵極和源極之間會(huì)并接一個(gè)電阻（這個(gè)電阻的大小和要求的截止速度相關(guān)）這個(gè)電阻會(huì)對于驅(qū)動(dòng)電路形成一些電流。

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-10-4 22:38

jlslwh 發(fā)表于 2023-10-3 18:15
除去大家說的，還有一個(gè)因素得考慮，就是為了泄放掉柵極的電壓（因?yàn)榻Y(jié)電容的原因）一般柵極和源極之間會(huì)并 ...

這個(gè)電阻在管子內(nèi)部是不存在的。

ID:195496 · 發(fā)表于 2023-10-5 07:51

MOS主要考慮的是動(dòng)態(tài)電流，看別人的設(shè)計(jì)就可以發(fā)現(xiàn)，有采用二極管或者電容方式的驅(qū)動(dòng)類型，并且還要并上一只電阻。平時(shí)見到的小功率充電器采用一只電阻驅(qū)動(dòng)就可以了。

ID:517951 · 發(fā)表于 2023-10-5 09:42

mos管有N-MOS, P-MOS之分, 一般用NMOS管, 盡量不用PMOS. NMOS導(dǎo)通電壓可能比5V要高, 單片機(jī)就需要通過三極管提升電壓來驅(qū)動(dòng)MOS管. MOS的柵極與DS之間是高阻的, 高頻使用時(shí)需要考慮柵極節(jié)電容.

ID:47541 · 發(fā)表于 2023-10-5 15:27

需要的電流并不大，但是柵極有寄生電容，相當(dāng)于給電容充電，在瞬態(tài)下充電電流會(huì)較大，要想更好的驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路要有很好的驅(qū)動(dòng)能力，說白了就是充電時(shí)間和放電時(shí)間都要最短才好

ID:401564 · 發(fā)表于 2023-10-12 00:29

如果只是單純的開和關(guān),那你可以認(rèn)為它是不需要電流的
如果是PWM,那就得要電流+電壓了,大多的驅(qū)動(dòng)芯片都有0.2A以上驅(qū)動(dòng)電流+10V驅(qū)動(dòng)電壓的

ID:382454 · 發(fā)表于 2023-10-17 09:32

MOS的G極，你可以把它看成一個(gè)電容。每種MOS管子的輸入電容都不一樣�？梢圆楸�。

ID:1096319 · 發(fā)表于 2023-10-17 09:43

信息12mA

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-10-17 12:40

1528853327 發(fā)表于 2023-10-17 09:43
信息12mA

如果100KHz頻率，12ma可以嗎？

ID:593706 · 發(fā)表于 2023-10-19 09:18

場效應(yīng)管是電壓控制器件，G極和其它極是絕緣的，所以沒有G極電流，使用的時(shí)候注意G極的開通電壓和關(guān)斷電壓在合適的范圍就行。

ID:43600 · 發(fā)表于 2023-10-21 00:36

mosfet的驅(qū)動(dòng)電流大致上跟開關(guān)頻率成比例。

ID:1088185 · 發(fā)表于 2023-10-22 16:22

GS極等效一電容，所以G極的電流，只有在輸入信號狀態(tài)變動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生瞬間RC充電電流， C多大可以在MOS管規(guī)格書查到， R就查看你的電路

ID:1097455 · 發(fā)表于 2023-10-27 11:17

MOS壓動(dòng)型，電流很小

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