STC8芯片的EEPROM只能寫入讀取擦除重寫擦除一正片扇區有沒有寫好的函數用

ID:1100640 · 發表于 2023-11-21 14:58

STC8芯片的EEPROM只能寫入讀取擦除重寫擦除一正片扇區有沒有寫好的函數用（先寫到另一扇區再擦除原先扇區再把要修改的修改完再寫回原來的扇區再把另一扇區擦除）

ID:50694 · 發表于 2023-11-21 16:28

這種操作不科學，一是會縮短FLASH壽命，二是增加了整個操作的時長，三是數據會有一定的風險。

ID:744809 · 發表于 2023-11-21 16:41

電控mmbd 發表于 2023-11-21 16:28
這種操作不科學，一是會縮短FLASH壽命，二是增加了整個操作的時長，三是數據會有一定的風險。

確實，沒必要這么搞。如果要存的數據比較短，就幾十字節的話，可以循環存在一塊空間里面，上電找最后存的記錄就可以，存滿了再擦除，寫條新的記錄就

ID:69038 · 發表于 2023-11-21 17:06

官方說能寫10W次。一天10次，能寫1W天，近30年。夠了嗎？

ID:965189 · 發表于 2023-11-21 20:08

這樣搞三角戀不好吧。

ID:213173 · 發表于 2023-11-21 21:34

將某扇區數據讀到緩存，修改相關數據后，擦除原扇區，再將修改后的數據寫入原扇區。

ID:1100640 · 發表于 2023-11-22 10:52

wulin 發表于 2023-11-21 21:34
將某扇區數據讀到緩存，修改相關數據后，擦除原扇區，再將修改后的數據寫入原扇區。

緩存不夠用了。。

ID:1100640 · 發表于 2023-11-22 10:55

123156fsadf 發表于 2023-11-21 16:41
確實，沒必要這么搞。如果要存的數據比較短，就幾十字節的話，可以循環存在一塊空間里面，上電找最后存的 ...

我也不確定存多少但好像需要存1k左右字節

ID:57657 · 發表于 2023-11-22 11:20

電控mmbd 發表于 2023-11-21 16:28
這種操作不科學，一是會縮短FLASH壽命，二是增加了整個操作的時長，三是數據會有一定的風險。

使用 do{ ... } while();寫進去再讀出來比較以保證數據正確寫入，電壓過低不要對EEPROM執行寫、擦除可能會失敗。

ID:1085085 · 發表于 2023-11-22 14:53

樓主好，可參考他們官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序

做以下修改

這個是單字節的寫入和扇區的擦除，可以直接一個for把一個扇區的字節都挪到另一個扇區，在擦除這個扇區就好了
如果還有疑問可去他們STCAI官方咨詢

ID:712097 · 發表于 2023-11-22 15:29

感覺更麻煩，沒有優勢。

ID:1100640 · 發表于 2023-12-2 15:36

STC新未來發表于 2023-11-22 14:53
樓主好，可參考他們官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序

好謝謝

ID:195496 · 發表于 2023-12-2 22:01

不常改動的可以用，經常修改的數據，還是用片外的存儲器吧。

ID:1019324 · 發表于 2023-12-4 14:46

參考以下藍橋杯的源碼，里面有寫好的底層函數

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