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請(qǐng)教一下各位,如下兩個(gè)電路,第一個(gè)電路是接三極管驅(qū)MOS管

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ID:293079 發(fā)表于 2024-1-15 17:38 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請(qǐng)教一下各位,如下兩個(gè)電路,第一個(gè)電路是接三極管驅(qū)MOS管。第二個(gè)是接光耦驅(qū)動(dòng)MOS。但是第一個(gè)不能完全MOS管。第二個(gè)可以正常工作。是什么原因造成的,謝謝
51hei截圖20240115173853.png
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ID:1006638 發(fā)表于 2024-1-15 21:40 | 顯示全部樓層
三極管E極對(duì)地不通不能滿足導(dǎo)通條件。改為PNP型E接12v,C接?xùn)艠O,R17改接上啦,PMW改反向驅(qū)動(dòng)。
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ID:1109254 發(fā)表于 2024-1-15 22:45 | 顯示全部樓層
大IGBT 發(fā)表于 2024-1-15 21:40
三極管E極對(duì)地不通不能滿足導(dǎo)通條件。改為PNP型E接12v,C接?xùn)艠O,R17改接上啦,PMW改反向驅(qū)動(dòng)。

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ID:883242 發(fā)表于 2024-1-15 23:03 | 顯示全部樓層
Q3應(yīng)該是PNP的.
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ID:1109249 發(fā)表于 2024-1-15 23:15 | 顯示全部樓層
樓上說(shuō)的對(duì),要改為PNP的,驅(qū)動(dòng)要反向
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ID:771630 發(fā)表于 2024-1-15 23:46 | 顯示全部樓層
第一個(gè)圖MOS G級(jí)只有PWM電平-0.7的電壓,如果是5V及以下,mos壓根不能完全導(dǎo)通,建議改成上拉+NPN控制,如果對(duì)速度有要求,可以增加一個(gè)低端MOS驅(qū)動(dòng)
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ID:965189 發(fā)表于 2024-1-16 08:18 | 顯示全部樓層
第一個(gè)電路的三極管導(dǎo)通后的內(nèi)阻較大,不能提供足夠的電壓給MOS管的G極。可能這個(gè)MOS管的啟動(dòng)電壓較高,如果啟動(dòng)電壓4V,l加上三極管的0.7V,已經(jīng)4.7V了。所以不能啟動(dòng)MOS管。
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ID:1107377 發(fā)表于 2024-1-16 08:40 | 顯示全部樓層

將Q3更換為PNP型晶體三極管,R17作為Q3下偏置電阻以保證其導(dǎo)通。
未標(biāo)題-1.jpg
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ID:74687 發(fā)表于 2024-1-16 09:51 | 顯示全部樓層
975336981 發(fā)表于 2024-1-16 08:40
將Q3更換為PNP型晶體三極管,R17作為Q3下偏置電阻以保證其導(dǎo)通。

你這個(gè)Q3是不是畫(huà)反了,R17A是不是要改成上拉?
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ID:69038 發(fā)表于 2024-1-16 09:58 | 顯示全部樓層
第一個(gè)電路中,Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V(Q3的Vbe),如果PWM高電平是3V3,那么G極電壓就只有2.6左右了,很難讓高Vgs的NMOS管導(dǎo)通。Q3這樣的接法,只可以放大電流,但MOS管卻是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,所以放大電流沒(méi)必要,也行不通的。
要么如樓上所說(shuō)改成PNP管,要么嘗試選用低Vgs的NMOS管,比如ST2302,Vgs可低到2.5V。
個(gè)人淺見(jiàn)。。
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ID:332444 發(fā)表于 2024-1-16 10:23 | 顯示全部樓層
第一個(gè)電路圖設(shè)計(jì)上就是錯(cuò)的,要知道場(chǎng)效應(yīng)管具有結(jié)電容,必須設(shè)計(jì)泄放回路,否則驅(qū)動(dòng)的電壓無(wú)法消失.
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ID:69038 發(fā)表于 2024-1-16 10:32 | 顯示全部樓層
zhuls 發(fā)表于 2024-1-16 09:58
第一個(gè)電路中,Q4柵極電壓約等于PWM電壓-0.7V(Q3的Vbe),如果PWM高電平是3V3,那么G極電壓就只有2.6左右 ...

大意了!如果換用PNP管,將出現(xiàn)新的問(wèn)題 :B極的電壓一直低于E極的+12V,Q3會(huì)一直導(dǎo)通,電路失效。。。
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ID:332444 發(fā)表于 2024-1-16 10:36 | 顯示全部樓層
第二個(gè)電路也存在同樣問(wèn)題,除了驅(qū)動(dòng)電壓要滿足要求外,結(jié)電壓泄放必須的.
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ID:1107377 發(fā)表于 2024-1-16 11:43 | 顯示全部樓層
R17A作為PNP管下偏置電阻(需要考慮阻值),以保證Q3導(dǎo)通。Q3添加一個(gè)集電極電阻,提供MOS管柵極工作電壓。不知此法是否可行。

添加集電極電阻.jpg
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ID:1088185 發(fā)表于 2024-1-16 12:02 | 顯示全部樓層
兩個(gè)電路都有問(wèn)題, 都需要在GS之間加個(gè)電阻放電
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ID:302016 發(fā)表于 2024-1-16 14:03 | 顯示全部樓層
三極管要換成P管,R17不接地,接到12V處,其次MOS基極串接小電阻,還要加下拉電阻。你的光耦電路,原副邊不供地,mos也要基極串接小電阻,還要加下拉電阻
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ID:491577 發(fā)表于 2024-1-17 22:54 | 顯示全部樓層
樓主對(duì)COM管一竅不通,兩個(gè)電路都是錯(cuò)漏百出,第一個(gè)無(wú)法打開(kāi)COM管,第二個(gè)無(wú)法關(guān)閉COM管,這兩個(gè)電路錯(cuò)誤太多,沒(méi)有修改的價(jià)值,重新做吧。
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