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pmos驅(qū)動電路問題

[復(fù)制鏈接]
ID:100982 發(fā)表于 2024-7-24 21:30 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
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求問一個pmos驅(qū)動電路   1   R2 10k的作用是否為gs電容泄放電阻?
                                    2   R2的位置是否可以和D1  12V 穩(wěn)壓管并聯(lián)房子啊R4之前
                                    3    R4 是穩(wěn)壓管的限流電阻?
                                    4    Vcc 與mos之間是否需要加小電容防止震蕩?
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ID:404160 發(fā)表于 2024-7-25 10:18 | 顯示全部樓層
根據(jù)您提供的電路描述,給出一個簡單的N型和P型MOSFET開關(guān)電路的示例。這個電路將包括基本的門極驅(qū)動電路和一些保護(hù)措施。

### 電路組件:
- Q1: N型MOSFET
- Q2: P型MOSFET
- R1: 控制信號電阻(例如1kΩ)
- R2: N型MOSFET門極驅(qū)動電阻(根據(jù)Q1的規(guī)格選擇)
- R3: P型MOSFET門極驅(qū)動電阻(根據(jù)Q2的規(guī)格選擇)
- R4: 負(fù)載電阻(根據(jù)負(fù)載要求選擇)
- D1: 飛回二極管(與N型MOSFET并聯(lián))
- 控制信號源:例如微控制器的GPIO引腳

### 電路圖描述:

```
  +12V
   |
   +----+ D1
   |     |
   |     R2
   |    +----> Q1_Drain (N型MOSFET漏極)
   |     |     |
   R1    R3    |
   |    |     +----> Q2_Source (P型MOSFET源極)
   |    |     |
   +----+     |
          +---- GND
          |
          +----> Q1_Source (N型MOSFET源極)
          |
          +----> Q2_Drain (P型MOSFET漏極)
          |
          +----> R4 (負(fù)載電阻)
          |
          +---- GND
```

### 電路說明:
1. **電源**:12V電源連接到電路的正極。
2. **飛回二極管D1**:與N型MOSFET的漏極并聯(lián),用于防止在MOSFET關(guān)閉時產(chǎn)生的電壓尖峰。
3. **控制信號**:通過電阻R1連接到N型MOSFET的門極,用于控制MOSFET的開關(guān)。
4. **N型MOSFET Q1**:用于控制連接到地的負(fù)載。當(dāng)門極接收到高電平時,MOSFET導(dǎo)通,負(fù)載得到電源。
5. **P型MOSFET Q2**:通常用于更高電壓的電路中,用于控制電源的開關(guān)。在這個示例中,它與N型MOSFET并聯(lián),可以用于更復(fù)雜的控制邏輯。
6. **負(fù)載電阻R4**:連接在N型MOSFET和P型MOSFET的漏極和源極之間,代表負(fù)載。

### 注意事項(xiàng):
- 確保選擇的MOSFET具有足夠的電壓和電流規(guī)格來處理12V電源和預(yù)期的負(fù)載電流。
- 根據(jù)MOSFET的數(shù)據(jù)手冊選擇合適的門極驅(qū)動電阻R2和R3。
- 如果P型MOSFET需要負(fù)電壓來關(guān)閉,可能需要一個負(fù)電壓源或使用N型MOSFET來實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓門極驅(qū)動。

這個電路是一個基礎(chǔ)示例,實(shí)際應(yīng)用中可能需要根據(jù)具體需求進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。
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ID:100982 發(fā)表于 2024-7-27 20:46 | 顯示全部樓層
飛云居士 發(fā)表于 2024-7-25 10:18
根據(jù)您提供的電路描述,給出一個簡單的N型和P型MOSFET開關(guān)電路的示例。這個電路將包括基本的門極驅(qū)動電路和 ...

這回答沒有啥作用啊,我是pmos
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