單片機(jī)產(chǎn)生PWM波后升壓？？

ID:57495 · 發(fā)表于 2013-12-22 20:39

如圖所示：因?yàn)閱纹瑱C(jī)產(chǎn)生的PWM波電壓太低，難以驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體制冷片（額定電壓12v，4A），所以設(shè)計(jì)以下電路，為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v 。
問(wèn)題1：?jiǎn)纹瑱C(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要光電耦合器嗎?
問(wèn)題2：圖中的M 開關(guān)管，是MOS管合適，還是IGBT合適？？

ID:58634 · 發(fā)表于 2014-1-10 18:28

個(gè)人認(rèn)為單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影響到單片機(jī)的穩(wěn)定就加光電耦合器。開關(guān)管用MOS管或IGBT都行，看工作頻率和負(fù)載是什么。只是個(gè)人理解。

ID:59048 · 發(fā)表于 2014-2-9 11:40

1.可以直接接MOS管，其實(shí)光耦不僅是起到隔離作用，還有就是后面的控制部分，比如電壓可以接的高些（12V或者更高些）。2.當(dāng)然是MOS管速度快了。可控硅導(dǎo)通容易，但是不能自行關(guān)斷；IGBT常用于大功率設(shè)備，需要專門的驅(qū)動(dòng)，所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。

ID:118284 · 發(fā)表于 2016-5-13 08:35

加一個(gè)NPN三極管就可以

ID:120465 · 發(fā)表于 2016-5-13 08:47

個(gè)人認(rèn)為開關(guān)管使用MOS管比較合適

ID:120521 · 發(fā)表于 2016-5-13 13:05

MOS管即可

ID:120554 · 發(fā)表于 2016-5-13 16:06

mos管托托的

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單片機(jī)產(chǎn)生PWM波后 升壓？？

單片機(jī)產(chǎn)生PWM波后升壓？？