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這種復(fù)合管有兩個(gè)NMOS 每組有兩個(gè)D極 卻只有一個(gè)柵極G和一個(gè)源極S 哪個(gè)知道的 科...

  [復(fù)制鏈接]
ID:668004 發(fā)表于 2025-1-9 18:27 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
這種復(fù)合管有兩個(gè)NMOS 每組有兩個(gè)D極 卻只有一個(gè)柵極G和一個(gè)源極S  哪個(gè)知道的  科普一下
1.png
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ID:46521 發(fā)表于 2025-1-9 20:52 | 顯示全部樓層
有沒有可能芯片就焊在D極上,需要更大的面積更快傳出熱量
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ID:1133081 發(fā)表于 2025-1-9 21:27 | 顯示全部樓層
兩個(gè)管子分別只有1個(gè)D極,只是各自占用兩個(gè)腳位并與底部散熱片相連,便于管芯導(dǎo)熱。
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ID:404160 發(fā)表于 2025-1-9 22:16 | 顯示全部樓層
這意味著每個(gè)MOSFET有兩個(gè)漏極,這在一些特殊的應(yīng)用中可能會(huì)用到,比如在半橋或全橋電路中。
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ID:491875 發(fā)表于 2025-1-9 23:20 | 顯示全部樓層
2個(gè)D極是并列的,也就是內(nèi)部連接在一起。可能是方便PCB布局和增加電流承載能力吧(S極通常接地,相對面積比較大)
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ID:879348 發(fā)表于 2025-1-10 07:55 | 顯示全部樓層
最常見的充放保護(hù)需要用到,一個(gè)負(fù)責(zé)充電斷開,一個(gè)負(fù)責(zé)放電斷開
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ID:69038 發(fā)表于 2025-1-10 08:08 | 顯示全部樓層
兩個(gè)NMOS反串,常見于鋰電池保護(hù)板上。。。
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ID:1034262 發(fā)表于 2025-1-10 10:19 | 顯示全部樓層
你要科普什么問題?
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-11 10:13 | 顯示全部樓層
老愚童63 發(fā)表于 2025-1-9 23:20
2個(gè)D極是并列的,也就是內(nèi)部連接在一起。可能是方便PCB布局和增加電流承載能力吧(S極通常接地,相對面積比 ...

這個(gè)解釋合理    現(xiàn)在在南山嗎
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-11 10:13 | 顯示全部樓層
wufa1986 發(fā)表于 2025-1-10 07:55
最常見的充放保護(hù)需要用到,一個(gè)負(fù)責(zé)充電斷開,一個(gè)負(fù)責(zé)放電斷開

這個(gè)也是有可能的   只是G只有一個(gè)啊
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-11 10:14 | 顯示全部樓層
zhuls 發(fā)表于 2025-1-10 08:08
兩個(gè)NMOS反串,常見于鋰電池保護(hù)板上。。。

啥意思  沒明白
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-11 10:14 | 顯示全部樓層
coody_sz 發(fā)表于 2025-1-10 10:19
你要科普什么問題?

我問的問題是每組MOS都有兩個(gè)D但是S和G只有一個(gè)
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ID:1136941 發(fā)表于 2025-1-11 17:11 | 顯示全部樓層
看圖片其實(shí)就是2個(gè)獨(dú)立的NMOS管封裝在一起,D極面積大焊接在PCB上有利于散熱,常用于半橋或全橋中。
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ID:466250 發(fā)表于 2025-1-11 21:02 | 顯示全部樓層
雙N管子,很常用
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ID:491875 發(fā)表于 2025-1-12 09:01 | 顯示全部樓層
QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-11 10:13
這個(gè)解釋合理    現(xiàn)在在南山嗎

在長沙
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ID:420836 發(fā)表于 2025-1-12 22:48 | 顯示全部樓層
MOSFET 的漏極與基板的熱耦合更緊密,這是一種更有利于散熱的結(jié)構(gòu)。因此,在外部,它具有多個(gè)金屬引線,可與較大的漏極區(qū)域接合,以實(shí)現(xiàn)更好的散熱。
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ID:654797 發(fā)表于 2025-1-13 07:36 | 顯示全部樓層
有些引腳是用來充數(shù)的,由于該芯片要封裝成他們要的樣子,要保留這些引腳,便于焊接時(shí)能焊得穩(wěn),所以就保留下來接一些有用的腳上 去,讓人分開分用。
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ID:654797 發(fā)表于 2025-1-13 07:40 | 顯示全部樓層
迎風(fēng)凌亂 發(fā)表于 2025-1-9 20:52
有沒有可能芯片就焊在D極上,需要更大的面積更快傳出熱量

更多的可以是為了這種封裝的芯片焊得牢固,特意保留了這些引,都保留了,那就焊到有功能的引腳去,讓它多個(gè)引腳對電路設(shè)計(jì)也是有好處的
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ID:291668 發(fā)表于 2025-1-13 10:05 | 顯示全部樓層
增大負(fù)載能力,承受大電流。其次就是芯片封裝要求,對稱性,美觀,工藝行要求等
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-14 20:35 | 顯示全部樓層
WL0123 發(fā)表于 2025-1-9 21:27
兩個(gè)管子分別只有1個(gè)D極,只是各自占用兩個(gè)腳位并與底部散熱片相連,便于管芯導(dǎo)熱。

每組是2個(gè)D 一個(gè) S  一個(gè)G  你連題目都沒看懂
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ID:668004 發(fā)表于 2025-1-14 20:41 | 顯示全部樓層

你怎么回長沙去了   你不是四川的嗎  唐工
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ID:69038 發(fā)表于 2025-1-15 10:05 | 顯示全部樓層
QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-14 20:35
每組是2個(gè)D 一個(gè) S  一個(gè)G  你連題目都沒看懂

在封裝上做了處理。沒什么奇怪的,比如這個(gè)管則是有更多的G和D,卻只有一個(gè)S,但多個(gè)G是連在一起的,多個(gè)D也是連在一起的: 捕獲.JPG


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ID:491875 發(fā)表于 2025-1-15 10:39 | 顯示全部樓層
QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-14 20:41
你怎么回長沙去了   你不是四川的嗎  唐工

我不是唐工,我是湖南的
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