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傳統的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優缺點和異同點?

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1.封裝小,內阻低,結溫高,熱阻小,結電容小、Id大,vth小的,這種傳統的低壓大電流的一代半導體硅MOS和三代半導體氮化鎵GAN相比有哪些優缺點和異同點?(比如耐壓60V以上,封裝小,內阻低,熱阻低、結電容小、結溫高,Id大,vth小的)

2.像這種低壓、大電流、小體積、小內阻的MOS有哪些國產廠商在做?幫忙推薦幾個做得好的廠家

3.COOLMOS、氮化鎵GAN、碳化硅SiC、砷化鎵GaAS又和上面方框哪些有什么區別?
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