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大神幫忙分析一下這個三極管的作用是啥?

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ID:506700 發表于 2025-6-26 16:07 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
這個電路就是靠輸出DAC去控制LED的發光亮度,但是Q3三極管的意義是啥?這樣使用兩個三極管有什么優勢和考究嗎
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ID:1121801 發表于 2025-6-27 08:09 | 顯示全部樓層
Q3是為了保證Q5始終保持在開啟區域?
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ID:404160 發表于 2025-6-27 09:36 | 顯示全部樓層
在這條 LED 調光線路里,Q3 并不是多余的“備胎”,它承擔了前級 **緩沖/電平轉換** 的角色,為后級的功率三極管 Q5 做好“鋪路”。下面分幾部分來拆解它的意義,以及雙級晶體管(pre-driver + power-driver)常見的優勢與設計考量。  1) Q3:DAC 到功率管之間的「緩沖放大器」      - **高輸入阻抗,低輸出阻抗**        DAC 輸出本身驅動能力有限,直接拉動 Q5 基極不僅會帶來較大的直流偏流,還會損害線性;Q3 做為共射/共基(取決于 R10、R11 的分布)結構,把 DAC 的電壓信號先轉換成基極電流,再推給 Q5,等于給 DAC 加了一個「電流緩沖筒」,大幅提高系統的驅動帶載能力。      - **電平位移與溫度補償**        Q3 的 Vbe(≈0.6 V)讓 Q5 的基極在導通閾值上多了個“緩沖臺階”,對 LED 在超低電流下的調光線性更友好;同時兩個相同型號的小功率管,其溫度漂移有部分自我抵消效果,減少了外部溫度變化帶來的亮度漂移。  2) 雙級放大的幾個核心優勢      - **超高電流增益**:單管 hFE(放大倍數)通常在 100~200 級,級聯后整體到 10⁴ 量級,DAC 只需負擔極小的驅動電流,就能撬動幾十 mA 乃至上百 mA 的 LED 電流。      - **減少飽和壓降**:適當選型、偏置后,Q3 工作在放大區(或輕微飽和),Q5 也可在輕飽和區,降低 VCE(sat),提升效率、降低發熱。      - **改善線性調光**:兩級增益讓基極—發射極之間的電壓-電流曲線疊加更“平滑”,小信號范圍內更容易做到連續可調,而不是死區—跳變—飽和三段式。  3) 設計考量與調優要點      - **偏置網絡**:R9、R10、R11 決定 Q3 的工作點。要保證 Q3 在整個 DAC 輸出范圍內既不過度飽和(拉不開基極電流),也不過度截止(失去緩沖能力)。      - **級間耦合電阻(R8)**:大小要兼顧信號帶寬與相位裕度,太小會增加基極寄生電容的負載,太大則拉低增益。      - **溫度漂移**:若要更精細的亮度控制,可考慮在 Q3/Q5 的發射極并入小型 NTC,或采用恒流源+線性反饋(運放+取樣電阻)來穩定電流。      - **開關速度**:兩級晶體管串聯會帶來額外的延遲(多一個 Vbe 開關),如果要用 PWM 調光,在幾 kHz 以上就要注意切換損耗與死區時間。  4) 拓展思路      - Sziklai(勛爵)組合:用 PNP+NPN 也能實現同樣的高增益、低飽和,甚至門限更低。      - 小信號級用 CMOS/雙極混合放大,再接大功率 MOSFET,能進一步降低損耗、提高效率。      - 對于更嚴苛的線性調光,可在兩級之間加電流—電壓反饋,或引入運放做前級,對 LED 電流/亮度做精密控制。
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ID:491875 發表于 2025-6-27 09:56 | 顯示全部樓層
給Q5提供恒流吧
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ID:879809 發表于 2025-6-27 16:15 | 顯示全部樓層
可以仿真一下,是個不太恒流的恒流源。
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ID:506700 發表于 2025-7-4 09:03 | 顯示全部樓層
飛云居士 發表于 2025-6-27 09:36
在這條 LED 調光線路里,Q3 并不是多余的“備胎”,它承擔了前級 **緩沖/電平轉換** 的角色,為后級的功率 ...

老師太厲害了
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ID:1137639 發表于 2025-7-5 12:37 | 顯示全部樓層
在這條 LED 調光線路里,Q3 并不是多余的“備胎”,它承擔了前級 **緩沖/電平轉換** 的角色,為后級的功率三極管 Q5 做好“鋪路”。下面分幾部分來拆解它的意義,以及雙級晶體管(pre-driver + power-driver)常見的優勢與設計考量。  1) Q3:DAC 到功率管之間的「緩沖放大器」      - **高輸入阻抗,低輸出阻抗**        DAC 輸出本身驅動能力有限,直接拉動 Q5 基極不僅會帶來較大的直流偏流,還會損害線性;Q3 做為共射/共基(取決于 R10、R11 的分布)結構,把 DAC 的電壓信號先轉換成基極電流,再推給 Q5,等于給 DAC 加了一個「電流緩沖筒」,大幅提高系統的驅動帶載能力。      - **電平位移與溫度補償**        Q3 的 Vbe(≈0.6 V)讓 Q5 的基極在導通閾值上多了個“緩沖臺階”,對 LED 在超低電流下的調光線性更友好;同時兩個相同型號的小功率管,其溫度漂移有部分自我抵消效果,減少了外部溫度變化帶來的亮度漂移。  2) 雙級放大的幾個核心優勢      - **超高電流增益**:單管 hFE(放大倍數)通常在 100~200 級,級聯后整體到 10⁴ 量級,DAC 只需負擔極小的驅動電流,就能撬動幾十 mA 乃至上百 mA 的 LED 電流。      - **減少飽和壓降**:適當選型、偏置后,Q3 工作在放大區(或輕微飽和),Q5 也可在輕飽和區,降低 VCE(sat),提升效率、降低發熱。      - **改善線性調光**:兩級增益讓基極—發射極之間的電壓-電流曲線疊加更“平滑”,小信號范圍內更容易做到連續可調,而不是死區—跳變—飽和三段式。  3) 設計考量與調優要點      - **偏置網絡**:R9、R10、R11 決定 Q3 的工作點。要保證 Q3 在整個 DAC 輸出范圍內既不過度飽和(拉不開基極電流),也不過度截止(失去緩沖能力)。      - **級間耦合電阻(R8)**:大小要兼顧信號帶寬與相位裕度,太小會增加基極寄生電容的負載,太大則拉低增益。      - **溫度漂移**:若要更精細的亮度控制,可考慮在 Q3/Q5 的發射極并入小型 NTC,或采用恒流源+線性反饋(運放+取樣電阻)來穩定電流。      - **開關速度**:兩級晶體管串聯會帶來額外的延遲(多一個 Vbe 開關),如果要用 PWM 調光,在幾 kHz 以上就要注意切換損耗與死區時間。  4) 拓展思路      - Sziklai(勛爵)組合:用 PNP+NPN 也能實現同樣的高增益、低飽和,甚至門限更低。      - 小信號級用 CMOS/雙極混合放大,再接大功率 MOSFET,能進一步降低損耗、提高效率。      - 對于更嚴苛的線性調光,可在兩級之間加電流—電壓反饋,或引入運放做前級,對 LED 電流/亮度做精密控制。
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