【其實我們可以參考 KEIL Realview MDK安裝目錄如K:\Keil_arm_for_tkstudio\ARM\Flash\AT91SAM7_128，這里面就有各種各樣的FLASH的燒寫算法程序，我們可以參考著寫，這些目錄里面有.c等源文件可供參考】
在RealviewMDK中，Flash燒寫算法不是通用的，都是針對具體的Flash存儲芯片的。由于市面上的Flash種類比較多，所以RealviewMDK不可能包含所有的Flash芯片燒寫程序。但是在具體的應用中，開發者在RealviewMDK中可能會找不到自己所需要的Flash燒寫程序，這時，用戶就必須自己添加Flash燒寫程序。本文將詳細的探討這種方法。RealviewMDK已經定義好了添加到其中的Flash燒寫算法的接口，包括1個描述Flash芯片的結構體和6個對Flash芯片操作的函數定義。詳細的內容可以參考下面的代碼。
struct FlashDevice
{
unsigned short Vers; // 體系結構及版本號；
char DevName[128]; // 設備的名稱及描述；
unsigned short DevType; // 設備的類型，例如: ONCHIP, EXT8BIT,EXT16BIT等等；
unsigned long DevAdr; // 默認設備的起始地址；
unsigned long szDev; // 設備的總容量；
unsigned long szPage; // 頁面的大小；
unsigned long Res; // 保留，以便將來擴展之用；
unsigned char valEmpty; //Flash擦除后儲存單元的值；
unsigned long toProg; // 頁寫函數超時的時間；
unsigned long toErase; // 扇區擦除函數超時的時間；
struct FlashSectors sectors[SECTOR_NUM];//扇區的起始地址及容量設置數組。
};
extern int Init (unsigned long adr, unsigned long clk,unsigned long fnc);
extern int UnInit (unsigned long fnc);
extern int BlankCheck (unsigned long adr, unsigned long sz,unsigned char pat);
extern int EraseChip (void);
extern int EraseSector (unsigned longadr);
extern int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz,unsigned char *buf);
extern unsigned long Verify (unsigned long adr, unsigned longsz, unsigned char *buf);
在RealviewMDK中，添加Flash燒寫算法的實質就是填充上面的那個結構體以及實現那6個函數。至于幾個函數是如何被RealviewMDK調用的，用戶不必關心，這些是由Realview MDK自動管理的，只要正確的實現了上面的那些內容，開發者就可以將RealviewMDK編譯鏈接后的程序下載到自己的Flash芯片中去。下面是添加一個Flash燒寫的詳細步驟：
1. 在C:\Keil\ARM\Flash下新建一個空的子文件夾；
2. 在Flash文件夾中選擇一個已存在的，且和欲添加的Flash算法相近的內容(如..\ARM\Flash\LPC_IAP_256) 拷貝到這個新文件中，并將此算法作為新算法的模板；
3. 重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表示新的FlashROM設備名,如29F400.UV2并用μVision IDE將其打開；
4. 在對話框Project - Options for Target - Output 中將所有的輸出文件名(如LPC_IAP_256)替換為新的設備名；
5. 編輯FlashPrg.C文件并為EraseChip,EraseBlock及ProgramBlock定義函數代碼。在函數Init和UnInit中編寫算法所需的初始化以及卸載代碼；
6. 在文件FlashDev.C中的struct FlashDevice結構體中定義設備參數；
7. 重新編譯工程，將在C:\Keil\ARM\Flash文件夾下生成*.FLX格式的Flash編程算法。此文件即為所添加的Flash編程算法；
8. 使用Configure Flash Download中的Add按鈕可將此編程算法文件添加到目標應用工程中。
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