三極管（NPN型）工作原理推想與猜測

ID:75005 · 發表于 2015-3-21 16:36

基極與發射極間的PN節的耗盡區基本上把基區全部占有，Vbb應該不對集電極與基極間的PN節處的載流子起作用！因此只有當Vbb電壓超過硅材料半導體勢壘電壓0.7V時，基極與發射極間的PN節才處于導通狀態。在其處于導通狀態下，整個三極管就相當于只有N型半導體，進而相當于一個導體，但又不完全等同于導體，原因在于基極與發射極界處的PN節的絕緣程度應該取決于Vbb的電壓值。其電壓在超過勢壘電壓的前提下，電壓越高，導通情況越好，右側電路電流阻力越小，電流越大！

      再者就是參考書中一再強調集電極電流Ic遠大于基極電流Ib，乍看起來，還真是有點不可思議，好像不符合串聯電路的電流規律！下面在以上猜想的基礎上做以下解釋：三極管內部導電不是完全由電子作為載流子的，本處以NPN型三極管為例，其基極多數載流子是空穴，發射極與集電極多數載流子是電子。發射極電子越過PN節，大部分進去基極內的空穴，一少部分拐入左側電路流回發射極。那些進去空穴的大部分電子進去空穴后，由于基極非常薄，且摻雜程度較低，在其進去空穴的同時，集電極又將基極內與電子結合的空穴的電子抽出來，經右側電路流回發射極。
      綜上，基極的多數載流子——空穴就相當于“電子搬運者”。基極內大部分電子發生了電子傳遞，只有那些拐入左側電路的電子才在基極內發生了電子流動！用參考書中的公式就是：Ie=Ic+Ib。其中的Ib就是基極里面的電流也是左側電路里的電流！
      上面的解釋可以用下圖來類比：

B容器相當于基極，A是發射極，C是集電極。由圖知，B容器相當于只有一個承接的作用，其內部并沒有發生水流的橫向流動！

以上只是我看三極管部分初步理解和推測！可能是對的！也可能錯的！誰懂可以指教一下啊！

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三極管（NPN型）工作原理推想與猜測