和晶振串聯(lián)的電阻常用來(lái)預(yù)防晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。晶振過(guò)分驅(qū)動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drive level調(diào)整用。用來(lái)調(diào)整drive level和發(fā)振余裕度。晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級(jí)，輸出端的電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對(duì)晶振過(guò)驅(qū)動(dòng)，損壞晶振。

電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個(gè)反饋回路，形成放大器，當(dāng)晶體并在其中會(huì)使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會(huì)影響輸出頻率。過(guò)去，曾經(jīng)試驗(yàn)此電路的穩(wěn)定性時(shí)，試過(guò)從100K～20M都可以正常啟振，但會(huì)影響脈寬比的。

Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個(gè)施密特反相器,反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻,由電阻完成將輸出的信號(hào)反向 180度反饋到輸入端形成負(fù)反饋,構(gòu)成負(fù)反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯(lián)關(guān)系,自己想一下是電阻大還是電阻小對(duì)晶體的阻抗影響小大?

下圖所示的一個(gè)晶振電路中，晶振串聯(lián)電阻與晶振并聯(lián)電阻的作用。

電路在其輸出端串接了一個(gè)2M歐姆的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個(gè)10M歐姆的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另外180度的相移，整個(gè)環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時(shí)還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。

晶體的Q值非常高, 如何理解Q值高呢？ 晶體的串聯(lián)等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶體一般等效于一個(gè)Q很高很高的電感，相當(dāng)于電感的導(dǎo)線電阻很小很小。Q一般達(dá)到10^-4量級(jí)。為了避免信號(hào)太強(qiáng)打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。串進(jìn)去的電阻是用來(lái)限制振蕩幅度的，并進(jìn)去的兩顆電容根據(jù)LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調(diào)頻率和波形，并影響幅度，并進(jìn)去的電阻就要看 IC   spec了，有的是用來(lái)反饋的，有的是為過(guò)EMI的對(duì)策 。可是轉(zhuǎn)化為 并聯(lián)等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，這是有現(xiàn)成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面并的電阻是并到這個(gè)Rp上的，于是，降低了Rp值 -----＞ 增大了Re -----＞ 降低了Q。

通過(guò)精確的分析還可以知道，對(duì)頻率也會(huì)有很小很小的影響。

最后凱越翔總結(jié)了晶振串聯(lián)電子和并聯(lián)電阻的四大作用：

1、電阻取值影響波形的脈寬。

2、并聯(lián)降低諧振阻抗，使諧振器易啟動(dòng)；

3、配合IC內(nèi)部電路組成負(fù)反饋、移相，使放大器工作在線性區(qū)；

4、限流防止諧振器被過(guò)驅(qū)；