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學習單片機lq 發表于 2021-1-31 15:26 Q3和R22是如何快速關斷的呢 |
學習單片機lq 發表于 2021-1-31 15:26 D1是怎么防止倒灌的?我感覺你是做BMS的 |
QWE4562012 發表于 2021-1-31 09:46 這次的圖應該是正確的了,這就是通常說11串鋰電池保護板電路圖,沒有單片機。CO是充電保護端,DO是放電保護端,平時都是高電壓(比通常說的5V高電平還高得多),保護時為零。Q3和R22就是起快速關斷作用的。而那個D1是在產生充電保護后起防止電流倒灌作用的。 |
xhaity 發表于 2021-1-27 08:48 恩 我感覺你有水平! 煩請告知下Q1和D1有何用意 |
rundstedt 發表于 2021-1-26 16:38 不是的 是FAE提供的 源文檔是AD 用PADS導進來的 |
QWE4562012 發表于 2021-1-26 14:16 懷疑這個電路有問題,穩壓管Z2用到了15V,說明這里需要接近15V的驅動信號,可能兩只功率管是IGBT,而單片機輸出太低,三極管是用來對信號進行電壓放大的。 |
表示當信號CO為高時,晶體管Q1始終導通,當CO接地時,Q1截止,Q2,Q5也截止,然后電阻R19和R20通過R22快速釋放Q2和Q5的柵極電荷 。 |
Q1D1全都畫錯了,這圖明顯是抄板抄出來的,還抄錯了。 |
這個電路從R2來的信號只能使Q2導通,截止的信號可能是從R19來的,電路不全。 |
xhaity 發表于 2021-1-26 08:50 是怎么實現快速關斷的? |
f556 發表于 2021-1-26 00:50 R2左邊是IO驅動信號 |
我怎么覺得R22就像NPN二極管, 基極和發射極直接接電阻一樣的功能,防止誤觸發。 |
當為Q1的發射極提供電源電壓時,PNP Q1始終導通。 NMOS Q2的柵極電壓比源極高15V,因此Q2導通。 當Q1的發射極被拉低時,Q1截止,Q2的柵極被拉至低電平,因此Q2截止。 R22用于快速釋放柵極-源極電荷。 |
怎么看就像是個上電開關電路,可能是防反接的上電開關電路,上一個快速關斷電路供參:![]() |
電路圖不全,應該是R19快速拉低Vgs關斷 |
鐘志偉 發表于 2021-1-25 11:07 他這個是串聯 所以我也沒看懂。。。。。。 |
wufa1986 發表于 2021-1-25 10:48 和R22有啥關系 分析下?這個不是基極的電阻啊 |
名字不是重點 發表于 2021-1-25 10:54 如何實現 具體說說 |
MOS在G極的驅動電阻上并個快恢復二極管就可以快速關斷了,IGBT就要用負壓關斷 |
Nmos管要快速關斷,就要把G極接低,越低越快,能負壓最好![]() |
從電路看這個并不能快速關斷VGS,R22太大了 |