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傳統的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優缺點和異同點？

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發布時間: 2025-1-11 11:36

正文摘要:

1.封裝小，內阻低，結溫高，熱阻小，結電容小、Id大，vth小的，這種傳統的低壓大電流的一代半導體硅MOS和三代半導體氮化鎵GAN相比有哪些優缺點和異同點？(比如耐壓60V以上，封裝小，內阻低，熱阻低、結電容小、結溫 ...

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