圖1：
其中code和RO-data存儲在flash中，所以兩者之和為單片機中flash需要分配給它們的空間大小(并且等于代碼所生成的.bin文件大小)，另外RW-data和ZI-data存儲在sram中，同樣兩者之和為單片機中sram需要分配給它們的空間大小。
1、棧區（stack）：由編譯器自動分配釋放 ，存放函數的參數值，局部變量的值等。其操作方式類似于數據結構中的棧。 這些值是可讀寫的，那么stack應該被包含在RW-data(讀寫數據存儲區)，也就是單片機的sram中。
2、堆區（heap）：一般由程序員分配釋放， 若程序員不釋放，程序結束時可能由OS回收 �？梢岳斫猓@些也是被包含在單片機的sram中的。
3、全局區（靜態區）（static）：全局變量和靜態變量的存儲是放在一塊的，初始化的全局變量和靜態變量在一塊區域， 未初始化的全局變量和未初始化的靜態變量在相鄰的另一塊區域，程序結束后由系統釋放。這些數據也是可讀可寫的，和stack、heap一樣，被包含在sram中。
4、文字常量區：常量字符串就是放在這里的。這些數據是只讀的，分配在RO-data(只讀數據存儲區)，則被包含在flash中。
5、程序代碼區：存放函數體的二進制代碼，可以想象也是被包含在flash，因為對于MCU來說，當其重新上電，代碼還會繼續運行，并不會消失，所以存儲在flash中。